KSC838CYTA概述
Trans RF BJT NPN 30V 0.03A 3Pin TO-92 Ammo
Bipolar BJT Transistor NPN 30 V 30 mA 250MHz 250 mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 30V 30MA TO92-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
艾睿:
Trans RF BJT NPN 30V 0.03A 3-Pin TO-92 Ammo
KSC838CYTA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 30.0 mA
耗散功率 250 mW
增益频宽积 250 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 12V
最大电流放大倍数hFE 240
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买KSC838CYTA