? ?λ—光谱半宽度 VF—正向压降差 Vz—电压增量在稳压范围内 av—电压温度系数 a—温度系数 BV cer—基极与发射极串联，CE结击穿电压 BVcbo—集电极与基极之间的发射极开路击穿电压 BVceo—基极开路，CE结击穿电压 BVces—基极和发射极短路CE结击穿电压 BVebo— 集电极开路EB结击穿电压 Cib—共基极输入电容器 Cic—集电结势垒电容器 Cieo—共发射极开路输入电容器 Cies—共发射极短路输入电容器 Cie—共发射极输入电容器 Cjo/Cjn—结电容变化 Cjo—零偏压结电容器 Cjv—偏压结电容 Cj—结(极间)电容， 锗检波二极管的总电容在二极管两端加规定偏压下 CL—负载电容（外电路参数） Cn—中和电容(外电路参数) Cob—共基极输出电容。集电极与基极之间的输出电容在基极电路中 Coeo—共发射极开路输出电容 Coe—共发射极输出电容器 Co—零偏压电容 Co—输出电容 Cp—并联电容(外电路参数) Cre—共发射极反馈电容器 Cs—管壳电容或封装电容 CTC—电容温度系数 CTV—电压温度系数。稳定电压的相对变化与测试电流下环境温度的绝对变化之比 Ct—总电容 Cvn—标称电容 di/dt—通态电流的临界上升率 dv/dt—通态电压临界上升率 D—占空比 ESB—二次击穿能量 fmax—最高振荡频率。当三极管功率增加等于1时 fT—特征频率 f—频率 h RE—极静态电压反馈系数 hFE—极静态电流放大系数 hfe—短路电压放大系数 hIE—共发射极静态输入阻抗 hie—短路输入阻抗 hOE—极静态输出电导共同发射 hoe—发射极小信号开路输出导出 hre—共发射极小信号开路电压反馈系数 IAGC—电流正向自动控制 IB2-单结晶管中的基极调制电流