CS 由于几乎没有磁场依赖性，电容传感器非常适合在强磁场中使用低温控制传感器。位移电流不受磁场影响。因此，当扫描磁场或在恒温操作下改变磁场值时，温度控制波动保持在最低限度。
由于电容器/温度曲线在热循环过程中会发生轻微变化，校准必须在冷却后从另一个传感器转移到电容器，以获得最佳精度。建议使用另一个温度传感器测量零场温度，电容传感器仅用作控制元件。
几乎没有磁场引起的错误
在强磁场存在的情况下可以保持 mK 控制稳定性
C 与 T 单调到接近室温
在几天内，电容传感器的热循环可以提供其电容/温度值的变化，相当于 4.2 K、77 K 和室温下的十分之几度。在更长的时间内，变化可以达到一定程度或更多。但是，任何减少的电容 C(T)/C(4.2 K) 通常稳定在 ±0.5 K 以内。这些变化或偏移不会影响温度响应曲线因此，传感器在给定温度下工作时的稳定性不应损坏传感器作为控制元件的主要功能。
电容式传感器在工作温度下长时间提供非常稳定的控制条件，但由于操作老化现象
电容/温度特性的变化可能是介电常数、介电损耗或老化时间依赖的结果，这是所有铁电介质的结果。这种时间依赖性是电容/温度值的短期漂移(几分钟到几个小时)，通过热干扰传感器或改变激励电压或频率来启动。为了弥补这一点，传感器应在初始冷却到所需的工作温度后稳定一小时，并在重大调整控制温度时。
这种短期漂移是在稳定一小时后进行的 4.2 K 每分钟十分之几毫开尔文 305 K 每分钟几毫开尔文。漂移总是朝着电容器减少的方向移动；因此，它对应于温度降低到 290 K 以下。