陶瓷电容MLCC 简介 最常见的陶瓷电容器通常是多层陶瓷电容器MLCC，如下图：
MLCC温度特性差异很大，EIA Class I二氧化钛（TiO2)其温度变化系数特别小。EIA Class II高介电常数型MLCC用钛酸钡（BaTiO3），其温度系数很大。
优点 无极性 价格便宜 体积小，可实现01005包装。 容积率大，适用于小型电子产品。Class1类电容具有良好的温度特性。 数绝缘电阻GΩ漏电流很小。ESR铝电解电容小于钽电容，是mΩ水平，有明显的谐振点，如下图：
缺点 容积率小，容量无钽电容，铝电解电容大 非Class1类电容随温度变化较大。 韧性差，挤压容易断裂。 MLCC电容特性随着施加高介电常数陶瓷电容器的容值DC电压或AC电压值得改变，下图为村田0.1uF，0201封装，MLCC电容特性。
这种现象是钛酸钡铁电体的高介电常数（Class2)片状多层陶瓷电容器的独特现象，导电聚合物铝电解电容器(聚合物AI)导电聚合物钽电解电容器(聚合物电解电容器(聚合物电解电容器)Ta)、薄膜电容器(Film)、片状多层陶瓷电容器用于氧化钛和锆酸钙系顺电体的温度补偿(MLCC)这种现象几乎不会发生在上面。如下图所示:
当向钛酸钡铁电体施加直流电压时，电场小时，电位移(D)与电场(E)成正比，但随着电场的增加，原本方向混乱的自发极化(Ps)沿电场方向排列整齐，显示介电常数很大，实际静电容量值增加。随着电场的进一步增强，介电常数变小，实际静电容量值变小（见图2）。 因此，在在选择多层陶瓷电容器时，请不要完全根据产品目录中记录的静电容量进行选择。直流电压成分必须应用于适用的电源（信号）线，以确定静电容量，掌握实际静电容量值。然而，这种直流偏置特性施加的直流电压成分越低，静电容量越小。最近，市场上出现了突破1V电源电压(直流电压)工作FPGA和ASIC等半导体芯片。如果在该芯片的电源线上使用多层陶瓷电容器，则不会出现明显的直流偏置问题。
电容量随频率而变化：
如下图所示：
如何正确测量电容，请参考本文的最终连接。以下是几点：
测试前必须校准设备，特别是在测量小容量和小包装电容器时。 ALC (Automatic Level Control )打开并确认测量时DC偏压是否符合原厂要求。 若测量值小于标称值，则可能是电容器放置时间长、老化所致。高诱电陶瓷电容器的主要成分是钛酸钡（BaTiO3）。随着时间的推移，这一系列电容器的静电容量变小。这种现象称为静电容量的老化特性。将老化的电容器加热到居里点(温度，钛酸钡一般为130℃大约)以上，钛酸钡的结晶将重塑，电容量恢复到原值，然后开始下一次老化，因此加热后可以恢复老化减少的静电容量。 MLCC的温度特性 一般来说，电容器的静电容量会随着使用温度的变化而变化。变化范围越小，温度特性越好；范围越大，温度特性越差。当电容器用于高温汽车发动机室内或南极等寒冷地区的电子设备时，必须考虑其设计环境条件。 参考国际电工技术委员会（IEC）和美国电子工业联合会（EIA）标准，根据陶瓷电容值随温度变化的规律，对陶瓷电容进行了分类，标准如下：
EIA Class I EIA标准等级代码解释：
温度系数的计算公式是：温度系数代码x倍乘因数代码（ppm/K）±容差随温度变化而变化（ppm/K）。常见规格如下，如 C0G电容（使用了二氧化钛与锆酸钙类电介质材料，其静电容量对温度几乎呈现直线性变化）的温度漂移是±30ppm/K,U2J温度系数为-750±120ppm/K。 1nF，0201，C0G电容温度曲线：
IEC标准代码解释：
NP0是Negative Positive Zero缩写表示温度系数为零浮电容器，这也是美国军事标准的说法，其特点和C0G几乎一样。 下面是KEMET C0G和U2J本系列产品的介绍与上表对应。
3.3.2 EIA Class II EIA标准等级代码解释：
例如常见的X7R电容，工作温度是-55~125℃，在整个温度范围内容值变化±15%。 1nF，0201，X7R电容温度特性曲线：
除了X7R，常见的Class2电容规格如下： X8R (-55/+150, ΔC/C0 = ±15%) X7R (-55/+125 °C, ΔC/C0 = ±15%) X6R (-55/+105 °C, ΔC/C0 = ±15%) X5R (-55/+85 °C, ΔC/C0 = ±15%) X7S (-55/+125, ΔC/C0 = ±22%) Z5U (+10/+85 °C, ΔC/C0 = +22/−56%) Y5V (-30/+85 °C, ΔC/C0 = +22/−82%) ICE标准代码解释：
在一些情况下，EIA代码跟IEC/EN代码可以对应起来的，可能会有些微小的变化，但一般可以接受。下面是一些对应： X7R 与2X1相似； Z5U 与2E6相似； Y5V 与2F4相似；区别: Y5V（ΔC/C0 = +30/-80%），2F4（ΔC/C0 = +30/-80%） X7S 与2C1相似；区别: X7S（ΔC/C0 = ±20%），2C1（ΔC/C0= ±22%） X8R 没有与之相似的IEC/EN 代码。 下面是KEMET X7R的介绍资料，与上述表格是对应的。
村田电容器温度特性标准 欧美企业准守EIA标准，村田准守日本的JIS标准，两者的对应关系如下：
村田MLCC不同容值的谐振点
3.5 不同种类MLCC特点
备注： 1．测试条件25℃，1MHz，1Vrms，≤1nf或者1KHz，1Vrms，大于1nF 2．整个温度范围内的容值变化。
MLCC常见问题 啸叫 X5R和X7R的高介电常数的电容，由于具有强介电性的陶瓷的电致效应，在施加交流电压时，独石陶瓷电容器贴片会发生叠层方向伸缩。因此电路板也会平行方向伸缩，而因电路板的振动而产生了噪声。 贴片及电路板的振幅仅为1pm～1nm左右，但发出的声响却十分大。 其实几乎无法听到电容器本身发出的噪声，但将其安装于电路板后振动会随之增强，振幅的周期也达到了人耳能够听到的频率带(20Hz～20kHz)，所以声音可通过人耳进行识别。例如可听到"ji----"、“ki----”"pi----"等声响。
啸叫的测量方法见如下链接： https://www.murata.com/zh-cn/products/capacitor/mlcc/apps/notepc https://www.murata.com/zh-cn/products/capacitor/mlcc/apps/ta