MOS管规格书中有三个寄生电容参数:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。
功率半导体的核心是PN根据二极管和三极管的到场效应管PN结特性所做的各种应用。。
反型层是否存在于不通电的情况下,MOS管可分为增强型和耗尽型——
在功率半导体中,当N型和P型半导体结合时,由于浓度差,N型半导体的电子部分会扩散到P型半导体的孔中,因此在接合面的两侧会形成空间电荷区(空间电荷区形成的电场会扩散电阻,最终平衡扩散运动);
当添加正电压时,靠近耗尽层交界面的不平衡少子浓度较高,远离不平衡少子浓度较低,浓度从高逐渐衰减至0。当增加正电压时,不平衡少子的浓度增加,浓度梯度增加,当增加电压减小时,变化相反。在这种现象中,电荷积累和释放的过程与电容器充放电相同,称为扩散电容器。
MOS管寄生电容结构如下,。
对于MOS三个电容参数的定义,
Ciss = Cgs Cgd;
Coss = Cds Cgd;
Crss = Cgd
因此,这三个电容器几乎不受温度变化的影响,
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