我打算设计一个无线电能传输的发射端，想要稍微大一点的功率，所以我想使用它IRS2110S IGBT该方案构成半桥驱动发射线圈。IGBT的型号为IKW60N50.废话不多说，直接设计原理图如下: 
这是参考之前师兄的设计，说可以用。于是我照搬了一下。没想到，我把板子打出来，焊接完毕，上电测试没问题，波形输出也没测(大意)。 所以直接连接到负载线圈（发射线圈），不仅如此，我还直接完成了接收端，接收线圈也放在发射线圈后面，便于耦合。现在想想，我真的很自信，也不知道谁给了我信心。 所以不出所料，上电后直接闻到香味，定眼一看，共模电感L3烧了，线圈的绝缘层几乎融化了，很快就断电了。现在再想想，我真的很大胆。我用的是36V/7A输出开关电源。 于是，我开始想，我是否应该一步一步地测量波形，好家伙，事实上，我没有测量这里，直接开始分析。 才想起来，IRS2110芯片的HIN和LIN信号应该是互补PWM，最开始只给HIN输入了PWM信号，而LIN连接低电平导致输出波形错误。后来看手册查资料，知道需要互补PWM信号后，使用STM32单片机产生互补PWM给IRS只用示波器看了2110。VS波形基本正常，万用表测也是18V（VCC为36V），此时认为输出正确，然后连接谐振线圈和补偿电容，结果很快闻到共模电感烧灼的味道，立即停电。开始分析问题，发现驱动IGBT开启延迟比关断延迟快10倍左右，所以当上管还没有关闭时，
下管已经导通，此时处于上下管同时导通的状态，即VCC和GND短路，而IGBT通流能力强，短时间内导通勉强能承受，但连接到线圈负载后，电流急剧增加，烧坏了前端共模电感。所以按照手册互补PWM信号设置了250ns死区时间，再次测试时发现这次空载上电会导致开关管急剧升温，百思不解。自举电容大小？网极驱动器开关延迟，实物与手册误差大，芯片问题？
再次分析输入信号，原始输入信号的互补性PWM上管的开启时间应小于下管的闭合时间，下管的开启时间也应小于下管的闭合时间。换句话说，上管开启前，下管已关闭，上管关闭时，下管仍关闭，下管延迟一段时间后打开；相反，下管开启时，上管也关闭。这确保上下管同时避免引导。 单片机产生的互补性PWM信号是这个逻辑，没有问题，但忽略了一点，即光耦合的作用，它有一个很大的特点是信号翻转，也就是说，逻辑反过来：实际上管打开时间大于管关闭时间，即管导通，管仍处于导通状态（延迟相应的死区时间关闭），管关闭，下管也处于导通状态；反之亦然。 所以这种情况必然会导致死区时间设置的增加，上下管同时导通的时间也在增加，相应的损失也会急剧增加，那么IGBT上电时发热严重。这就解释了为什么死区时间明显增加，但管道发热更严重。
这个阶段的问题是发现的，所以光耦短路是对的PWM信号源没有好办法，所以在传输路径上想办法，或者直接不隔离，但考虑到高电平只有3.3V，驱动IRS2110有点不安全，还得想办法把高电平拉到5V。所以我用手里现有的744HACTG125芯片(单路三态缓冲门)用于信号隔离，这次学生开关电源被用作电源输入，电压为32V，并设置限流1A，避免板子再次烧坏。 现在信号输入没问题(逻辑上没问题)，然后上电测试。果然，死区时间增加了，管道完全不热。然后测量上下管的栅极波形，我又糊涂了。Vgs(黄曲线)上升没问题，但下降时延迟高达600ns(而且好像变化不大。我调整了死区的时间，还是没有效果。)而且会有一个平台，如下图所示，我们不知道他是什么平台；下管Vgs(绿色曲线)上升时有点像密勒平台。即使我设置了500个死区，也不行。ns，然后会有上下管同时导通的瞬间。虽然时间很短，但不加载也没问题。加载后直接降低输入电压。说明这里使用的负载(谐振电路)CCL拓扑结构，拓扑本身的启动电流很小，然后随着振荡逐渐增大，达到平衡。
问题在哪里？我又陷入了沉思 后来发现谐振电路有问题，对比发现是我用的。CBB电容器，这个电容器是一年前买的，一直放在地下室里，湿度往往在80%-90%之间，电容器可能会失效，换了我最近买的电容器，负载直接短路发热的问题解决了，但是接收器的功率一直不高，虽然输出波形一直不是特别理想，也没有深入研究。从接收端的谐振回路开始想办法。，等我慢慢学习，先结束。