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03-存储系统

存储系统的基本概念

在这里插入图片描述

现代计算机结构

存储器的层次结构

注:有的教材称安装在电脑内的磁盘为辅存,U盘、光盘等为外存。

还有一些教材把磁盘,U盘、光盘等统称为辅存或外存

辅存中的数据只有调入主存后才能被调入CPU访问,Cache主要是为了缓解CPU与主存矛盾

主存―辅助存储:虚拟存储系统解决了主存储容量不足的问题

Cache一主存:解决主存和CPU速度不匹配的问题

存储器的分类

存储器的性能指标

MDR位数反映存储字长

1.存储容量:存储字数×字长(如1M×8位)。

2.单位成本:每个价格=总成本/总容量。

3.存储速度:数据传输率=数据宽度/存储周期。

数据的宽度是存储字长

①存取时间(Ta):访问时间是指从启动存储器操作到完成操作的时间,分为读取时间和写入时间。

②访问周期:访问周期也称为读写周期或访问周期。它是指存储器连续两次独立访问存储器操作(读写操作)所需的最小时间间隔。

主存带宽(Bm):主存带宽,又称数据传输率,是指每秒从主存进出信息的最大数量,单位为字/秒、字节/秒(B/s)或位/秒(b/s) 。

主存储器的基本组成

基本的半导体元件和原理

注: MOS当输入电压达到一定阈值时,管理可以理解为电控开关,MOS管道可以接通

存储器芯片的基本原理

寻址

SRAM和DRAM

Dynamic Random Access Memory,即动态RAM

Static Random Access Memory,即静态RAM

DRAM用于主存、SRAM用于Cache

高频考点:DRAM和SRAM的对比

很多ROM虽然芯片的名字是芯片Read-Only”,但很多ROM也可以写

闪存的写作速度通常比阅读速度慢,因为在写作之前先擦掉

RAM芯片是易失性的,ROM芯片不易失性。ROM还具有随机存取的特点

DRAM芯片

DRAM芯片:使用栅极电容器存储信息

SRAM芯片:使用双稳态触发器存储信息

栅极电容&双稳态触发器

DRAM

电容放电信息被破坏,这是一种破坏性的读取。读取后应重写,也称为再生。读写速度慢( ?? ω ?? )?

制造成本低,集成度高,功耗低

电容器中的电荷只能维持2ms。即使不断电,2ms信息也会消失ms必须刷新一次(给电容充电)

SRAM

双稳态

1:A高B低

0:A低B高

读取数据,保持触发器状态稳定,无需重写,读写速度快

触发器的状态触发器的状态就不会改变

每个存储元的制造成本更高,集成度低,功耗大

DRAM的刷新

1.刷新一次需要多长时间? 刷新周期:一般为2ms

2.每次刷新多少存储单元? 以行为单位,每次刷新一行存储单位——为什么要使用行列地址?减少选线数量

3.如何刷新?

有硬件支持,读取一行信息后重写,占用一个读写周期

4.什么时候刷新? 假设DRAM内部结构排列128×以128的形式存取周期0.5us 2ms共2ms/0.5us = 4000个周期

DRAM地址线复用技术

分两次发送行和列地址可以减少地址线和芯片引脚

只读存储器ROM

RAM芯片易失性,断电后数据消失

ROM芯片――非易失性,断电后数据不会丢失

各种ROM

MROM(Mask Read-Only Memory) —―隐藏模式只读取存储器,制造商根据客户的需直接在芯片生产过程中写入信息,然后(只能读出)可靠性高、灵活性差、生产周期长、只适合批量定制

PROM (Programmable Read-Only Memory) -只读存储器用户可以使用专用程序PROM写入器写入信息,

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)—―只读存储器可以擦除可编程,允许用户写种方法擦除数据,

UVEPROM (ultraviolet rays)用紫外线照射8~20分钟,

EEPROM(也常记为E2PROM,第一个E是Electrically)-可采用电擦除的方式,

Flash Memory —闪速存储器(注:U盘、SD卡是闪存)EEPROM在此基础上,信息也可以在断电后保存,可以多次快速擦除和重写。注意:因为闪存需要先擦除并写入,所以

SSD ( Solid State Drives) -由控制单元控制的固态硬盘 存储单元(Flash芯片组成与闪速存储器的核心区别在于控制单元不同,但存储介质相似,可以多次快速擦除和重写。SSD速度快,功耗低,价格高。目前常用于个人电脑。sSD取代传统的机械硬盘

拓:也使用手机辅存Flash芯片,但相比之下SSD芯片集成度高,功耗低,价格高

各种重要的计算机ROM

CPU的任务: 取指令到主存,执行指令

辅存安装了操作系统

主板上的BIOS芯片(ROM) ,存储自举装入程序,引导装入操作系统(启动)

注:我们常说内存条是主存,但实际上,主板上ROM芯片也是主存的一部分

从逻辑上讲,主存由RAM ROM组成,两者经常统一编址

多模块存储器(双端口已删除)

存取周期

例如:存取时间为r,存取周期为T,T=4r

双口RAM

功能:优化多核CPU访问内存条的速度

有两组完全独立的数据线、地址线和控制线。CPU、RAM还应该有更复杂的控制电路

两个端口对同一主存操作有以下四种情况:

1.两个端口同时访问不同地址单元的数据。

2.两个端口同时读取同一地址单元的数据。

3.两个端口同时将数字疾病写入同一地址单元-写入错误

4.两个端口同时对同一地址单元,一个写入数据,另一个读取数据。-读错(比较操作系统中的读者写者问题)

解决方案:将忙碌信号设置为0,判断逻辑决定暂时关闭一个端口(即延迟),正常访问未关闭的端口,在访问前延长一个短时间。

多体并行存储器

可以理解为四个内存条

应该取几个体

并行存取流水线(宏观并行,微观串行)

宏观上,在存储周期内,m体交叉存储器提供的数据量是单个模块的m倍。

存取周期为T,

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