ME50N06A一般说明ME50N06A 是 N 采用高单用高单元密度 DMOS 生产沟槽技术。 这种高密度工艺特别适用于降低导电阻。 这些设备特别适用于需要低在线功率损耗的低压应用，如 LCD 逆变器，计算机电源管理 DC 到 DC 转换器电路。
● RDS(ON)≦22mΩ@VGS=10V
● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低
● 优良的导电阻和最大直流电流能力
● 电源管理● DC/DC 转换器● LCD TV & Monitor Display 逆变器● CCFL逆变器● 二次同步整流N 沟道 MOS管松木ME50N06A-G（代替）新洁能NCE6030K/NCE6020AK方案
NCE6030K 采用先进的沟槽技术和设计，提供优秀的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 可用于多种应用。
● VDS =60V,ID =30ARDS(ON) <27mΩ @ VGS=10V
● 超低Rdson高密度单元设计
● 充分表示雪崩电压和电流
● 稳定性和均匀性好，稳定性高EAS
● 包装优良，散热好
● 高ESD特殊工艺技术的能力
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
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