型号
沟道
VDS
(Max)
VGS
VTH
(Typ)
ID
(Max)
IDM
RDS(on)
(Max)
封装
直接
替代型号
HM607K
N P沟道
30V/-30V
20V/-20V
2.0V/-1.8V
25A/-19A
90A/-60A
8.5mΩ/28mΩ
TO-252-4L
AOD607
HM609K
N P沟道
40V/-40V
20V/-20V
2.0V/-2.0V
20A/-15A
35A/-28A
16mΩ/25mΩ
TO-252-4L
AOD609
HM609BK
N P沟道
40V/-40V
20V/-20V
2.5V/-2.5V
23A/-20A
40A/-46A
25mΩ/35mΩ
TO-252-4L
AOD609
HM603K
N P沟道
60V/-60V
20V/-20V
1.6V/-1.5V
20A/-12A
60A/-30A
30mΩ/100mΩ
TO-252-4L
AOD603
HM603AK
N P沟道
60V/-60V
20V/-20V
1.8V/-1.8V
16A/-12A
28A/-25A
40mΩ/50mΩ
TO-252-4L
AOD603A
HM603BK
N P沟道
60V/-60V
20V/-20V
2.5V/-2.5V
23A/-18A
46A/-36A
28mΩ/65mΩ
TO-252-4L
AOD603
HM610AK
N P沟道
100V
25V
4.5V
8A/-5A
28A/-25A
130mΩ/170mΩ
TO-252-4L
备注：1.标注的Id电流是MOS芯片的最大正常电流和实际使用时的最大正常电流也受到包装的最大电流的限制。因此，在设计产品时，应考虑包装的最大电流限制。建议客户在设计产品时最大使用电流MOS内阻参数。
2.建议在MOS的栅源(G/S)电阻在极之间合并(10K)稳压二极管(5)V-12V)保护栅源(G/S)极过压。
3.建议MOS尽量提高管道的开启电压，使管道的开启电压尽可能提高MOS管道可以完全打开，此时内阻最小，不易烫伤。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上，中高压MOS开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项：
静电会在很多地方产生，采取以下预防措施可以有效预防MOS 电路因静电放电而损坏：
? 操作人员应通过防静电腕带接地。
? 设备外壳必须接地。
? 装配过程中使用的工具必须接地。
? 必须包装或运输导体包装或抗静电材料
我司的HM75N80/HM71N90/HM85N80/HM85N90/HM70N80/HM80N70/HM2807/HM3710/HM3205/HM3207/HM1404/HM50N06/HM50N03/HM80N03/HM10N10/HM17N10/HM25N10等中压大电流MOS的优点：
电动汽车/逆变器/HID/电焊机/电磁炉等市场质量没有问题，一直在批量发货。
产品应用：
1.电动汽车控制板
2.电动工具
3.HID
4.逆变器
5.UPS/通信电源
6.变频器
7.氙灯