反激开关电源电路用于各种小功率家电器件，随着电源器件的不断发展，开关电源电路相关产品也在更新，如流行的氮化镓充电器。因为课题组也在做氮化镓HEMT器件（更多的是在芯片设计和工艺部分，电路部分=不)后续有氮化镓开关电源验证氮化镓HEMT因此，设备性能的想法是从Si基MOS从管反激开关电源电路入手，逐步实现替代。
小组中没有相关的专业和经验人员。对我来说，设计和测试始于0。上次测试后，重新检查电路图，重新检查以下设计参数，发现以下错误和问题需要修改和回答。
图1.测试(1)原理图
首先，上次测试的错误和问题
1.错误
(1)多次测量发现保险丝容易过流快速熔断，反复拆焊和焊接容易导致电路板焊盘脱落。用保险丝插座代替保险丝，无需反复焊接或拆焊。
(2)原理图中变压器辅助绕组和副边绕组均反转，如图1所示同名端，初级绕组(1)正下(3)负时，MOS管导通，二次绕组也是上(8)正下(7)负D5也导通，，有点这意味着只有初步了解正激，详细了解后再详细讨论)。同时辅助绕组(5)负(6)正，辅助绕组直接给芯片CR6842电源，而不是在截止日期使用二次绕组反射电压感应的电压，导致CR6842电源电压过大，芯片容易烧坏。
（3）查看CR6842应用指842应用指导书起到过流保护作用R11电阻小。计算初级绕组峰值电流Ip=0.67A，CR6842芯片Sense引脚阈值最大电压为0.9V，则R11=0.9V/0.67A=1.34Ω，可选电阻为1.4Ω电阻(选择2个2.26Ω电阻并联)。
（4）CR6842引脚5 RT它起到过温保护的作用。不需要这个引脚加20K电阻接地屏蔽此功能。这个引脚需要一个电阻R23和热敏电阻NTC R24来设置。RT引脚内接70uA电流源，RT端电压降到1.065V以下并持续100us后，芯片Gate电阻值完全停止驱动(锁定)，关闭电源输出，保护系统R23 R24=1.065V/70uA=15.21K。
(5)原理图中光耦3脚三极管发射极和电容C7相连接GND，这个时候要注意接CGND，根据图1原理图，与原边绕组一侧热地形成回路PCB板光耦3脚却接了GND，选择用飞线重新连接，导致无法形成正确的回路。
2.疑问
（1）R8的作用是什么？当电路开始工作时，MOS开管时电流逐渐增大，SENSE引脚电压为0V，则R8 100Ω和R11 1.4Ω并联起到分流的作用MOS管道达到峰值电流0.67A时，R8上电流为9.25mA，SENSE引脚上的电压被拉高到0.925V，启动过流保护。猜测是为了防止电阻R芯片短路或断路时过流SENSE引脚击穿。
：CR6842手册表明，开关管导通时会有脉冲峰值电流。如果此时采样电流值，将导致控制错误，芯片内置前沿隐藏电路，避免控制错误。Sense端电流反馈信号前沿噪声干扰持续时间超过内置前沿消隐电路时间，可考虑外部滤除干扰。RC值不宜过大，否则可能导致电流反馈信号失真过大，导致系统启动或输出端短路MOS管漏端电压VDS系统异常现象，如过高等。R≤680Ω，C≤1000pF。
（2）CR6842 Gate端输出，MOS管阈值电压为3V（2.1-3.9V），R7电阻为27Ω，若输出电流IO=50mA，那R7导致Gate端压降为1.35V，那么MOS正常导通和关闭管道。Gate端静态电压为±20V，意思是CR6842 Gate脚压不超过20V，不低于-20V就可以吗？
(3)反馈环路光耦的工作原理:反馈环路中光耦CT817C是线性光耦还是开关光耦？如果是线性光耦，那么CR6842芯片的FB如何适应引脚电压？如果用于开关光耦，如何适应？
(4)反馈回路CR6842芯片FB端：FB端电压与光耦合三极管集电极直接连接，如何实现反馈？
3.测试反馈回路的问题
仅对以下电路进行测试，无变压器：
图2（a）.光耦合反馈电路FB端电压测试
如图2所示(a)所示：
测试条件：12V电压通过一100Ω电阻R1加在VIN端；同时18V电压给VDD供电；12V将电压源添加到电路输出端，模拟输出电压输出。
测试结果：
（1）R15为1K时
当输出端电压固定12时V时，，理论上LTL431参考端分为12V/(10k 1.5k)*1.5K= 1.565V，，因为电阻有误差出现较小误差，；慢慢理论上，左右LTL431参考端分为12V/(10k 2.64k)*2.64K=2.506V，实际，此时电阻；继续，VREF从2开始逐渐增加，但不再符合电阻分压规律.506V-2.634V变化(猜测原因是C11、R17 RC补偿网络起到稳压作用VREF基本稳压大于2.5V，在增加过程中，保证431的导通)，，但不排除测量误差，。
（2）R15为1.5K时
调节R通过光耦二极管的正向导通电流15的电阻IF，但R15阻值无论怎么改变，当431导通时，其两端电压均为8.9V左右，而FB端电压总是被低到地面。
（3）在FB加上拉电阻测试
图2（b）.光耦合反馈电路FB端电压上拉电阻试验
如图2(b)，在FB端加100Ω上拉电阻接5V供电。上拉电阻两端的大小可反映光耦合三极管集电极电流IC的大小。
根据上述步骤，发现431的导通过程仍如上，参考端电压一旦超过2.5V 431即导，光耦二极管有正电流，R15增大，IF减小，但IF在较小的时间内，空间比会增加，但会使光耦合三极管集电极电流IC增大。比如，当IF=8.9mA时，IC=17.75mA约占195%；当IF=5.93mA时，IC=20.25mA左右，占空比为341%左右，差别还是比较大的，可参考数据手册。由此可知，。
p>（整个测试过程中，无法判断芯片是否正常工作，因为Gate端无电压输出，但供电都正常，芯片没有正常工作吗？为什么呢？想不明白！！！）综上所述，，只能起到控制光耦二极管处于导通与截止两个状态，从而控制FB端处于高电平与低电平两个状态。
二、修正后的测试
按照修改后的原理图修正板子，继续测试。
修改后的原理图如图3所示：
图3.修正后原理图
接入市电之前，对电路板进行哪里短路、断路测试，无异常。直接接入220V市电后，板子还是没有正常输出电压，LED灯不亮。
1.测试滤波电容C2两端电压，为312V左右，正常，市电测试为220AC；
2.测试CR6842 VIN引脚电压为5.7V左右，VDD引脚电压为10-13V跳动，Gate引脚无电压输出，说明CR6842未正常工作。
3.测试变压器原边绕组电压，无电压；
4.断电测试C2两端电压在慢慢下降，证明CR3842确实为正常起振。
再次查看芯片手册，发现启动时需要自举电容C5充电到16.8V，在启动过程中，VDD电压不得低于12.4V，否则芯片会关断输出。测试中VDD也只有10-13V，是不是这个原因呢？但调整什么可以将自举电容C5充电到16.8V呢？
尝试增大或减小启动电阻的值，或者修改启动方式。
1.串联一个510K/250V的电阻以此增加启动电阻，VIN无电压，VDD无电压，启动电阻上电压为311V左右，说明启动电阻过大，没有达到启动电流；
2.将其中一个750K电阻换成510K电阻减小启动电阻，VIN电压为17-21V变化，VDD电压为12-15V变化，万用表AC档测Gate有2.5V左右电流，但是在跳动，规律是0、0.1左右、1.2左右、2.5左右，接着跳动，是不是说明芯片启动了呢？芯片正常工作应该输出8V高电平，0.3V低电平。
3.修改启动方式，将750K串联510K启动电阻直接接在VDD引脚，或者两个750K电阻串联在VDD引脚，VDD和VIN电压相同为12-16.4V之间跳动，万用表AC档测Gate有2.5V左右电流，但是在跳动，规律是0、0.1左右、0.8、0.9、1.2左右、2.5左右，依然没有输出电压。
4.测试MOS管VGS和CR6842 Gate端电压几乎一样，VDS之间电压为311.5V左右，说明开关管没有导通，原边绕组上无电流。
实在不知道问题出在哪了，芯片工作电压也正常，为什么不能正常工作呢？还是因为启动电阻太大了吗？导致VDD上自举电容没有充到16.8V，没有正常启动吗？（明天改成两个510K串联再试一下吧！）
缓一段时间再测，如果电路后续能正常工作的话，就出一个详细的计算过程。
总结
不知道问题出在哪了，希望精通开关电源的大佬支招，救救孩子吧！