晶圆-机械聚晶(CMP)在设备工艺中，浆体颗粒污染硅晶片表面（Yield）下降影响很大。
去除氧化后CMP晶片表面的颗粒，通过与DHF非离子表面活性剂(稀释高频)PAAE(聚氧乙烯烷芳基醚)DMSO和D.I.W.混合制备新的清洗溶液。硅酮晶片故意被硅、氧化铝和PSL(聚苯乙烯乳胶)污染。与传统的AMP(氢氧化铵、过氧化氢和D.LW与混合物相比，这种大气辐照下的清洗溶液可以在室温下去除颗粒和金属，而不会增加微粗糙度、金属线腐蚀和有机污染物沉积。这说明这种清洗溶液在铜刷清洗工艺和传统铜刷后清洗工艺中具有广泛的应用价值。
直径为0的方法.1 nm~0.5 im二氧化硅颗粒、铝土矿颗粒和polystylene latex(PSL)颗粒。在人为污染的清洗槽中加入晶片，吸附量调整到约3万个表面，在实验过程中保持恒定使用。所用超声波采用的是间接方式的1000 KHz/600 W，本方法研究的清洁液A-HF（DHF，Polyoxyethylene Alkyl Aryl Ether和Dimethylsulfoxide混合物)组合物采用以下提纯: 表面活性剂（Polyoxyethylene Alkyl Aryl Ether:非离子表面活性剂)和DMSO（KANTO Chemical）经微粒过滤后使用，颗粒尺寸为0.05。此外，用于配合的超纯水电阻为18.3 MQ超纯水，经0.02 er。此外，用于配合的超纯水电阻为18.3 MQ超纯水，经0.02 er。表1是表面活性剂PAAE的数据。
表1 PAAE表面活性剂HLB数和云点
本实验的其他分析设备包括：Dynamic contact angle analyzer（Cahn DCA-添加312)用于测量MAE的A-HF接触角和表面张力；ElHpsometer用于测量氧化膜的厚度；Wafer-T分析最小载波生命周期，用Perkin-Elmer Autosystem XL-Turbomass（GC-MS）吸附晶片表面PAAE分析。
颗粒去除效率：
A-HF如图1所示，它有效地消除了晶片表面的二氧化硅、铝土矿和PSL颗粒。此时，颗粒去除效率受到影响HF表面活性剂和溶剂的浓度影响不大。非离子表面活性剂(RXAE)非质子溶剂(DMSO)它提高了清洁剂对晶片表面的润湿能力，从而提高了吸附颗粒的脱附能力，使脱附颗粒不再被吸附。把它看作是一种避免式。
图1 A-HF去除溶液颗粒的效率
它的作用也可以看作是降低A-HF清洁剂的表面张力，使晶片从清洁剂中取出时可能产生的颗粒吸附降到最低，这是最容易吸附颗粒的过程。表3是对添加AE后硅烷晶片的湿滑能力和清洁液表面张力的调查结果。阴离子表面活性剂比非离子表面活性剂更能防止颗粒再吸附。但我们已经证实了表面活性剂的选择。阴离子表面活性剂的应用比非离子表面活性剂差得多。
这可能是因为阴离子表面活性剂将阴离子涂在晶片表面，从而阻碍阴离子SiO用最重要的化学类离子攻击表面，增加边界层的厚度，导致超声波对颗粒的脱附。可以认为是因为能力降低。此外，晶片中存在氧化膜SiO2表面相同的SiO和A12O3>以及PSL粒子，在pH在小于5的情况下，其绝对值差异很大，但符号相同Zeta因此，只能使用非离子表面活性剂。
去除金属离子的效果：
在传统的RCA在洗脱过程中，金属离子的去除机理是HPM（HC1， HQ和D.I.W.由金属离子和过氧化氢引起的活性氧Grego HC由金属离子和氧化还原电位差描述的复杂化学反应或最基本反应HC1。这是金属氯化物形成的反应。另一方面，A-HF清洁剂通过F蚀刻去除含有金属离子的氧化膜，从而去除晶片表面存在的金属离子。使用这种清洁剂的优点是消除了使用过氧化氢，使用实际浓度为0.极低浓度低于1%HF，并在常温下使用。
为了提高CMP该方法在洗脱过程中去除浆体颗粒的效率DHF非离子表面活性剂的制备PAAE、非质子溶剂DMSO新型洗脱液与超纯水混合物A-HJ。超声下A-HF性能评价结果表明，这种洗脱技术可以显著减少含超纯水的化学的用量，并能有效应用于Post Oxide CMP洗脱颗粒的能力和金属离子的能力。它显示了清洁能力，即的清洁能力APM不同的是，可以在室温下清洗，缩短清洗过程，使用低浓度HI，表面粗糙可以通过最小糙。同时，主流CMP金属布线材料的低腐蚀性不仅适用于传统材料CMP后清洗工艺已成为新一代CMP工艺备受关注BrushE调清洗工艺。确认洗涤剂有可能适用。