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硬件基础知识-二极管基础

二极管基础最详细

最近看到一个奇怪的电路符号,很熟悉,但是想不起来是干什么用的。知识的使用在我脑海中淋漓尽致地展现出来。就下面的符号而言,这是典型的二极管标志。但是二极管能做什么呢?其实标志上说的很清楚:单向导通电流。 单向导通的功能为二极管奠定了极其重要的应用基础。它就像城市里的单向道路,引导电流向你想要的地方移动。虽然我讨厌单向道路。但我喜欢电路,因为我们想控制电路里的一切。 在这里插入图片描述

理想的二极管就像一扇单向开门,只允许电流超过一个方向,称为正,而阻止电流超过另一个方向。

二极管的类型

二极管可根据二极管的特性分为多种类型。

  1. 齐纳二极管-齐纳二极管是一种二极管。它允许电流正向流动。它也可以在反向击穿中工作,但在击穿状态下,齐纳二极管具有稳压应用和齐纳二极管pn结合反向偏置模式,给齐纳效应。

  2. 微波应用隧道二极管-隧道二极管。

  3. 肖特基二极管-肖特基二极管是一种金属-半导体结二极管,又称热载流子二极管、低压二极管或肖特基势垒二极管。由半导体和金属结形成的肖特基二极管。小特基二极管提供快速开关和低正向压降。正如我们所知,在PN结二极管中,p型与n型连接在一起形成PN结。在肖特基二极管中,铂或铝等金属被用来代替 P 型半导体。

  4. 发光二极管——它是最有用的二极管之一,当二极管偏连接时,流过结的电流产生光。

  5. 可变电容二极管为可变电容二极管VARICAP二极管,虽然可变电容的输出可以显示一般pn但由于它们是不同类型的二极管,这种二极管被批准提供首选的电容变化。

  6. 光电二极管——这种具有一定光能产生电流的二极管落在其上,当正偏电流从p转移到n时,当反向光电流反向流动时,有两种光电二极管PN光电二极管和PIN光电二极管。

二极管结构

我们知道有两种半导体材料:本征半导体和外征半导体。在本征半导体中,电子数和空穴浓度在室温下相等。在非本征半导体中,将杂质添加到半导体中,以增加电子数或空穴数。这些杂质是五价(砷、锑、磷)或三价(硼、锆、铝)。

半导体二极管有两层。一层为p型,另一层为n型半导体。

如果我们在半导体(硅和锗)中添加三价杂质,就会有更多的空穴,这是正电荷。因此,这种层被称为 p 型层。

假如我们在半导体(硅或锗)中加入五价杂质,由于电子过多,就会产生负电荷。因此,这种层被称为n型层。

在 N 在类型区域,大多数电荷载流子是电子,少数电荷载流子是空穴。 P 在类型区域中,大多数电荷载流子是毫无根据的,而负电荷载流子是电子的。由于浓度异,扩散发生在大多数电荷载流子中,与相反的电荷重新组合。它产生正离子或负离子。它们聚集在十字路口附近。这个区域被称为耗尽区域。

二极管正极或p型接负极,n当类型或负极连接电池正极时,这种二极管连接反偏。

正极或p型端接电池正极,n当类型或负极连接到电池负极时,该二极管连接到正偏压。

前向偏置

将偏置半导体连接到外源。当 p 类型半导体连接到源或电池的正极端子,负极端子连接到源 n 这种类型的结是正偏的。在正偏压下,结附近的内建电场方向与外加电场方向相反。这意味着合成电场比内置电场小。因此,电阻率较小,耗尽区较薄。在硅中,电压为 0.6 V 耗尽区的电阻可以忽略不计。

反向偏置

在反向偏置中,n 类型连接到电池的正极,p 类型连接到电池的负极。在这种情况下,施加的电场方向与内部电场相同,电场结果大于内部电场,产生更大的电阻,因此耗尽区域较厚。如果施加的电压变大,耗尽区域将变得更加电阻和厚。

无偏二极管

当半导体中没有外源时,称为无偏二极管。电场是基于 p 型和 n 型材之间的耗尽层。这种情况是由于不平衡。电子和空穴是由混合引起的。在室温下,对于硅二极管,0.7V 是势垒电位。

二极管的特性

二极管IV曲线

对于典型的二极管,请注意,y 轴上的电流在 0.7 如何在伏的正压下流过二极管?击穿电压是电流开始向相反方向流动的地方,这是典型的二极管 -50 伏特。所有真正的二极管也会有漏电流,当没有正偏时,电流会从阴极流向阳极。有时,你可能需要了解其他特性,如二极管电阻。这并不是许多电路的真正因素。然而,对于更敏感的电路,在正偏置模式下计算二极管电阻的电阻 = 电压 / 电流方程。在这种情况下,您可以测量二极管两端的电压降,这与通过二极管的电流有关。

二极管方程

Is = 暗饱和电流

q = 电子电荷值

Vd = 二极管两端的电压

n = 理想因素,理想二极管,n = 对实际二极管,n = 1 到 2

k = 玻尔兹曼常数,1.38064852E-23 焦耳/开尔文

T =温度(开尔文)

常见的二极管电路

整流二极管

半波整流

如果只想要正弦信号的上半部分,可以直接在电路中加入二极管,利用二极管的单向导通过滤掉信号的下半部分。如下图所示。

全波整流

半波整流有个缺点就是有一半的信号能量给消耗掉了,有时候我们更需要全波整流。这个时候可以用下面的二极管电路来实现。如下图所示(动画有点慢,耐心看完)

反激二极管

这有时也被称为缓冲二极管、续流二极管和抑制二极管。反向二极管是一种方便的方法,使用二极管来减少突然的电压峰值,当通过感知负载的电流突然变化时。正如我们在关于电感器的文章中讨论的,每当电感器看到它的电流变化时,它就会产生一个 EMF 试图稳定电流变化的电压尖峰。

这种产生在许多电路中 EMF 通常不需要,有时会损坏电路的其他部分。为了消除损坏,可以放置二极管,以便出现 EMF 鼓励电流通过二极管,而不是通过其他可能损坏的电路组件。小风扇或继电器电感器控制是一种有用的常用电路。通常,大多数数字引脚可以提供小于 20 因此,毫安的电流需要电流放大器。请参见以下示例二极管原理图。

NPN 晶体管在这里工作得很好,因为数字引脚可以提供 10 打开毫安电流 NPN 晶体管,晶体管可以处理风扇或继电器电感器所需的安装电流。每当晶体管关闭时,电感器就会看到电流急剧下降,产生反电势峰值。

没有二极管,尖峰会流过晶体管,通常会损坏它。将二极管与电感器并联,EMF 电压尖峰导致二极管,允许电流通过二极管并返回电感器并消散。这种电流返回电感器是二极管名称的来源。

稳压二极管

齐纳二极管设计为在突破电压模式下工作。使用这一点的一种方法是使用齐纳稳压器。我们只需要一个电阻和一个正确的齐纳来提供所需的电压输出。下面是齐纳二极管电路的示例。

齐纳二极管将输入电压降至电路中二极管的击穿电压进行输出。为此,它必须允许电流通过二极管作为热量消散,但只有当输入电压高于击穿电压时。所需的输出电压将决定齐纳二极管,因为您将根据其击穿电压选择二极管来匹配输出电压。你必须得到一个二极管,可以处理必须耗散的功率。

阻塞二极管

这种二极管的使用只是二极管引导电流的名称。

一个很好的例子是太阳能电池板和电池充电器电路。当太阳出来,太阳能电池板产生电流时,电压通常高于电路充电的电池,因此电流将从电池板流入电池。

然而,在晚上,没有阳光照射到太阳能电池板上,所以它们不会产生电流。此时,电池将处于较高的电压下,不会堵塞二极管,电流将从电池流入面板,浪费能量。当将二极管放置在太阳能电池板和电池之间时,它允许电流从电池板流入电池,但不允许电流从电池流入电池板。因此,它阻止了电流以不想要的方式流动。

另一个有用的地方是电路中的电池。任何时候,有人可能会反向安装电池或插入直流电源。保护电路的好方法是二极管。

二极管确保只有正确的电压极性才能让电流流入电路,保护它们免受负电压的影响。

钳位二极管

钳位二极管只是控制信号直流电平的一种方法。在以下示例电路中,电容器和二极管在输入交流信号上产生直流偏移。

如果我们想朝另一个方向前进 DC 如下所示,我们只需逆转二极管的方向。

如果你在二极管和地之间置一个电压源,你可以走得更远,这样你就可以在所需的方向上增加更多的直流偏置。

削波二极管

与钳位相反的是剪辑。在这里,您可以使用串联电阻器和二极管来截取输入信号中不需要的部分。对于正向限幅,二极管的布置使其在信号高于正向电压时导通,因此二极管传导电流,将上限电压限幅在 0.7 伏左右。下面可以看到一个例子。R2 只是一个示例电阻器,不是必需的。

在上面的示例中,请注意最大上电压如何被限制在 0.7 伏特,这是二极管的正向电压。

如果需要负削波,您可以简单地翻转二极管。在这种情况下,只要信号输入为负值超过正向电压,二极管就会导通并传导电流,将负信号限制在 -0.7 伏特。下面是一个例子。同样,不需要 R2。请注意信号的负部分如何被削波到 -0.7 伏。

参考资料

https://byjus.com/physics/photodiodes-applications/

https://www.circuitbasics.com/what-is-a-diode/

https://byjus.com/physics/diodes/

https://www.fluke.com/en-us/learn/blog/electrical/what-is-a-diode

https://www.geeksforgeeks.org/what-is-a-diode-definition-working-types-applications/

https://www.electronicsdesignhq.com/diodes/

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