根据内部电路结构，线性稳压器主要分为以下几类： NPN、LDO、准LDO、PMOS、NMOS
以下是上述稳压器的电路原理： （1）NPN架构： 
（2）LDO架构： （3）准LDO架构： （4）PMOS架构： （5）NMOS架构：
接下来以LDO以线性稳压器为例： 如上图所示，LDO管道由串联调整 VT 、取样电阻 R3 和 R4 、比较放大器 A 组成。
在比较器中加入取样电压 A 同相输入端与反相输入端的基准电压 Vref相比之下，两者之间的差值是放大器 A 放大后，控制串联调节管的压降，稳定输出电压。当输出电压 Vout 基准电压与取样电压的差值增加， 对比放大器输出的驱动电流增加，串联调节管压降降降低，使输出电压高。相反，如果输出电压 Vout 超过所需要的设定值， 比较放大器输出的前驱动电流减小， 从而降低输出电压。 在供电过程中， 连续进行输出电压校正， 调整时间仅限于比较放大器和输出晶体管回路的反应速度。
可调 LDO 一般输出电压计算公式： Vout=Vref(1 R2/R1) Iadj*R2* ；
Iadj 值很小，当 R2 值小时， IadjR2 值可以忽略不计。但如果是。 R2 值较大，那 IadjR2 值不容忽视。一般稳压器，如 1117系列的 Iadj 典型值在 50uA左右，如果 R2 取值为 2K 当电压误差达到时 0.1V 了。
一般 LDO 的 Vref 值为 1.25V，有些会有所不同。 ANACHIP 有一款AP133，其 Vref=0.8V，可用于调整输出介于 1～1.25V 这是普通的 LDO做不到。
η＝Pout/Pin=(IoutVout)/(IinVin)=(Iout*V out)/((Iout Ignd)*Vin) 因为 Ignd 和 Iout 可以忽略不计，所以上式可以近似:
**η≈Vout/Vin** 可见 LDO 类似的效率等于输出电压比上的输入电压。 因此在选用 LDO 时，一定要注意输出电压和输入电压的压差。 在保证输出电压稳定的基础上， 输入电压越小，效率越高。特别是在大电流通路中，压差过大，不仅效率过低，而且热量过大，影响电路的稳定性。
近似计算公式：
由于结温升高会缩短芯片的使用寿命， 因此，我们必须尽可能降低芯片的温度，最好控制它 80～100℃内部；如果做不到这一点，至少要在产品规格书中标注最大工作温度。 80％以下。
：封装为 SOT-223的 117芯片，结到环境的热阻为 117℃/W(无散热器及通风措施) ，最大工作结温为 150℃。假设在40℃室温环境 ,IC 最大热损失约为： （150℃×0.8－40℃） / 117 ℃/W＝0.68W
上述计算值何外部散热条件下的计算值， 印刷板上的铜箔在实际应用中会起到散热片的作用，因此实际能承受的耗散功率略大于上述计算值。
了解热损失 PD 和热阻θJA后，我们就能计算出温升的近似值，但这个值往往因印制板、 周围器件、 与实际温度不同的是度不同。 因此，有必要判断设计电路的温升是否能满足要求， 以实际测量的温度值为准。
Vdrop 为在某一输出电流强度下，输入输出压差的最小值。一般产品规格书上会提供相应的 Vdrop-Iout 曲线。
因此在实现 3.3V 转 2.5V 或 2.5V 转 1.8V 当输入输出压差相对较小时，必须注意使用 LDO 的 Vdrop 参数能否满足上述要求。
最小工作电压是指保证稳压器内部 IC 输入电压需要满足电路正常运行的最小值。因此，在设计中 Vin 除了要满足 V in －V out ＞V drop 外，还要满足 V in ＞V 最小工作 。
静态电流是指输入电源提供的稳压器工作电流，也称为接地电流。静态电流可以理解为提供稳压器 IC 正常运行的电流不直接携带，所以静态电流纯粹是损失，越小越好。
。因为线型稳压器是一个反馈系统， 一般是多极系统， 由于这些极点的存在， 相位裕度可能低于稳定状态的容限值，导致输出回路不稳定，甚至自激。
相位补偿技术通常用于改善相位裕度， 在系统内增加零点可以改善相位裕度，改善的效果取决于所增加的零点的频率位置。输出电路上并接的电容器， 其 ESR与电容器一起，可以在系统中增加零点， 相应的零点频率约为 1/(2πReC)，其中 Re等效串联电阻， C 补偿电容值。 当补偿电容选择不当时，零点对相位裕度的改善不够，整个回路还是可能不稳定的。
在选择补偿电容时，我们需要关注电容 ESR 参数。
一般来说准 LDO 用电解电容输出补偿电容也能满足要求，但为了使用 ESR尽量小，电解容的容值不小于 47uF，推荐 47uF～100uF；输出小于等于 5V 电路的耐压值不小于 10V，推荐 10V～16V，大多数耐压值是为了使其更大 ESR 小些。对于 PNP LDO 来说，对 ESR要求会更严格。(现在有很多稳压器，因此，电容器用于外部补偿 ESR 要求变得不那么严格)在选择电容时，应参考芯片规格中关于输出电容的要求说明和建议参数值。
PSRR(Power Supply Rejection Ratio)，， 采用对数比值， 单位为分贝，基本计算公式为： PSRR=20log[Ripple (Vin)/Ripple (Vout)]
： 可在芯片设计中进行 LDO 基准输出端一路增加低通滤波器。由于内置滤波器会占用较大的芯片尺寸， 因此，一些芯片在芯片外围电路上设计低通滤波器，引出基准脚（即 ），用于连接基准旁路电容。 增加旁路电容， 有利于降低输出噪声 ,提高 LDO 的 PSRR。但是旁路电容是对的 LDO 影响输出电压上升速度，旁路电容值越大，输出电压上升速率越慢，使用时应注意。陶瓷电容器的典型值为 470 pF ～ 1uF 。
该参数旨在保持输出稳压，导管上需要流过的最小电流。如果负载不符合最小负载电流的要求， 稳压器输出电压可能会浮动。 。
对于导管，调压电阻 R3 和R4 也是它的负载。因此，只要满足以下公式 LDO 保持电压稳定输出：
当 ILoad =0 只要满足 I R3 ≥I MiniLoad 可以，所以固定输出 LDO 在设计中，制造商可以通过调整 R3 和 R4的值来使 IC 内部可以满足最小负载电流的值， 用户在设计时不需要考虑这个参数。，R3 在外围电路的设计中，我们的用户在设计时需要考虑这个参数。
一般厂家除了提供最小负载电流的参数外，还会提供推荐的外围电路参数，方便我们设计时选择合适的电阻值。
应该严格参考Datasheet手册推荐布局，如下图所示为PCB上的LDO等效电路图： 理想的 LDO 版图设计，应该使 1、2、3、4 这四个环路做到尽可能的小。其中环路1 和环路 2 最重要： 因为，对输出纹波影响很大； ， 还会影响补偿电容的等效 ESR，因为补偿电容的实际等效 ESR＝ESRc +R trace ，当补偿电容与整个LDO 的环路变大时， R trace 变大，补偿电容的实际等效 ESR 也随之变大，从而会使整个电路变得不稳定； ； ，也要重视。