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电子元件-光电耦合器

内容包括光耦合特性、参数、输入输出形式、对光耦合电流传输比的理解、线性度和频率测试、隔离和质量测试电路以及可控硅驱动光耦合的介绍。紫色文本是一个超链接,点击自动跳转到相关博客。不断更新,原创并不容易!

目录:

1)要求 2)思路 3)电路 4)试验结果

1)交流输入光耦合

1)三极管输出型 2)逻辑高速和CNX三极管输出型 3)双向晶闸管过零触发输出

4)施密特触发器和三极管输出

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由于光耦电路简单,常用于数字隔离电路或数据传输电路UART协议的20mA电流环。对于模拟信号,光耦限制了其在模拟信号隔离中的应用,因为输入输出的线性差,随温度变化很大。光耦分为线性和非线性,属于电流设备,能有效抑制电压噪声。

常用的4脚线性光耦有PC817A-D、PC111、TLP521等。常用的六脚线性光耦合有:TLP632、TLP532、PC614、PC714、PS2031等。常用的4N25、4N26、4N35、4N36是不适用于开关电源因为这四种光耦都属于非线性光耦。

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PC817分为A、B、C、D书面上称为电流传输比(CTR)不同。IF电流在1mA~7mA线性好,常规取5mA。

PC816的反向耐压Vceo=70V,PC817只有35V,其它参数几乎相同。

电流传输比(current transfer ratio):描述光耦合控制特性的参数,即副边输出电流(IO)将电流输入到原边(IF)百分比,传输比CTR = IO ÷ IF × 100%(数据给出的值一般指最大值)。

光耦合器采用光敏三极管,CTR大部分范围为20%~300%(如40%)N35),而PC817A台湾亿光(如80%~160%)EL817)可达50%~600%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。因此,CTR晶体管的参数hFE有某种相似之处。

例如:

CTR=100%=1,IF=5mA,则IC的最大值为5mA,实际上一般小于5mA。R12不得太小,应该保证3.3V/R12≤(3.3-VF)/R11的值。

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HCNR200/201、TLP521-1等。

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1)要求

3.5V~24V 认为是高电平,0V~1.5V认为是低电平

-------------------------------- 2)思路 0V~1.5V认为是低电平,利用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降,吃掉1.4V左右; 24V是最高电压,不能在最高电压的时候,光耦通过的电流太大;所以选用2K的电阻;光耦工作在大概10mA的电流,可以保证稳定可靠工作N年以上; 3.5V以上是高电平,为了尽快进入光敏三极管的饱和区,要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大;因此选用10K;同时要考虑到ctr最小为50%。

-------------------------------- 3)电路  发光管端 实验室电源(0~24V)->2K->1N4001->TLP521-1(1)->TLP521-1(2)->gnd1    光敏三极管 实验室电源(DC5V)->10K->TLP521-1(4)->TLP521-1(3)->gnd2    万用表 直流电压挡20V   万用表+   -> TLP521-1(4)  万用表-   -> TLP521-1(3)

-------------------------------- 4)试验结果

 输入电源(V)

 万用表电压(V) 

 1.3

 5

 1.5

 4.8

 1.7

 4.41 

 1.9

 3.58 

 2.1

 2.94

 2.3

 1.8 

 2.5

 0.58

 2.7

 0.2 

 2.9

 0.19

 3.1

 0.17

 3.3

 0.16

 3.5

 0.16

 5 

 0.13

 24

 0.06

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TLP521-1、PS2801-1、PS2805-1、TLP127、TLP181、HCPL0603、HCPL0600的测试。

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 光耦型号

 通过频率

 上升时间 t_PHL

 下降时间 t_PLH

 TLP521-1

 61.5KHz

 3us

 4us

 PS2801-1

 40KHz

 5us

 6us

 PS2805-1

 40KHz

 3us

 5us

 TLP127

 2KHz

 1us

 100us

 TLP181

 61.5KHz

 2us

 3us

 HCPL0603

 8MHz

 36ns

 6ns

测试中发现TLP127的关闭时间很长,该光耦为达林顿管输出,其原因可能是由于达林顿管的输出电流能力较强,最大可达150mA,而我们测试电路的负载较小,输出端泻电流较慢,导致电平保持时间、关断时间等都很长。在4K波形中可以看到,电流尚未来得及完全释放下一个上升沿即已经开始,此时的信号输出已经无法正常使用。芯片手册上给出的参数亦是如此,在典型电路的测试中(详情请参阅厂家的数据手册)关断时间达到80us,因此在使用该类型光耦是要注意。HCPL0603为高速集成电路输出光耦,因此可使用频率相当高,测试中甚至可达到20MHz的极限频率。

高速集成电路光耦:6N136/137、HCPL0600/01/11、4503/4504。

FOD3180不仅具有最大200ns极低延迟的高速特性,还具有2.0A的电流输出能力。
 
文档记录值:

 Mode

 Sym.

 Test circuit 

 Test condition

 Typ.*

 Max.

 6N136

 tPHL

 1

 RL=1.9K

 200ns

 800ns 

 

 tPLH

 1

 RL=1.9K

 600ns

 800ns 

 6N137

 tPHL

 1

 RL=350Ω,Cl=15pF,IF=7.5mA

 60ns

 75ns

 

 tPLH

 1

 RL=350Ω,Cl=15pF,IF=7.5mA

 60ns

 75ns

 HCPL4503

 tPHL

 1

 RL=1.9K

 200ns

 1000ns

 

 tPLH

 1

 RL=1.9K

 600ns

 1000ns

 HCPL4504

 tPHL

 1

Pulse: f = 20 kHz, Duty Cycle =10%, IF = 16 mA, VCC = 5.0 V, RL = 1.9 kΩ, CL = 15 pF, VTHHL = 1.5 V

 200ns

 300ns 

 

 tPLH

 1

Pulse: f = 20 kHz, Duty Cycle =10%, IF = 16 mA, VCC = 5.0 V, RL = 1.9 kΩ, CL = 15 pF, VTHHL = 1.5 V

 500ns

 700ns 

 FOD3180

 tPHL

 0

IF = 10mA, Rg = 10, f = 250kHz, Duty Cycle = 50%, Cg = 10nF

 135ns

 200ns 

 

 tPLH

 0

IF = 10mA, Rg = 10, f = 250kHz, Duty Cycle = 50%, Cg = 10nF

 105ns 

 200ns 

 TLP113

tPHL

    0  

IF=016mA CL=15pF, RL=350

 60ns

120ns 

 

tPLH

  0

IF=016mA CL=15pF, RL=350

 60ns

 120ns

* All typicals at TA = 25°C.
Test circuit 1:

6N137/HCPL-0600/01/11 DataSheet:

*JEDEC registered data for the 6N137.  JEDEC注册数据为6N137。

**Ratings apply to all devices except otherwise noted in the Package column. 

除非另有在封装列指出外,评估适用于所有器件。
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1)交流输入光耦

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1)三极管输出型

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2)逻辑高速与CNX三极管输出型

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3)双向晶闸管过零触发输出型

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4)施密特触发器与三极管输出型

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HCNR200/201是一种高线性度模拟光电耦合器,它由一个AlGaAs制作成的高性能发光二极管和两个结构相同的光电二极管组成。发光二极管具有稳定的光输出,可用来监控。两个光电二极管可以同时接收发光二极管输出的信号。HCNR200/201采用先进的封装形式,保证了光耦的高线性度和稳定的增益特性。
HCNR201的LED、pd1及运放A1等组成隔离电路的输入部分,pd2及运放A2等组成隔离电路的输出部分。设隔离电路输入电压为vin,输出电压为vout,LED上电流为If,二极管PD1上产生的电流为Ipd1,二极管pd2上产生的电流为Ipd2。

隔离电路中pd1形成了负反馈,当有电压vin输入时,运放A1的输出使LED上有电流If流过,且输入电压的变化体现在电流If上,并驱动LED发光把电信号转变成光信号。LED发出的光被pd1探测到并产生光电流Ipd1。同时,输入电压vin也会产生电流流过R1。假定A1是理想运放,则没有电流流入A1的输入端,流过R1的电流将会流过pd1到地,因此,Ipd1=vin/R1。注意,Ipd1只取决于输入电压vin和R1的值,与LED的光输出特性无关。又因LED发出的光同时照射在两个光敏二极管上,且pd1和pd2完全相同的,理想情况下Ipd2应该等于Ipd1。定义一个系数k,有Ipd1=k*Ipd2,k约为1±5%(当芯片制作完成后随之确定)。运放A2和电阻R2把Ipd2转变成输出电压vout,有vout=Ipd2*R2,组合上面的3个方程得到输出电压和输入电压关系:vout/vin=k*R2/R1,因此,输出电压vout具有稳定性和线性,其增益可通过调整R2与R1的值来实现,通常取R1和R2的值相同。
隔离电路中电阻R1起限流作用。R3用于控制LED的发光强度,从而对控制通道增益起一定作用。电容C1、C2为反馈电容,用于提高电路的稳定性。运算放大器A1的作用是把电压信号转变成电流信号,运算放大器A2的作用是把光耦输出的电流信号转变为电压信号,并增强负载驱动能力。
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图6.2.1 检测电路

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应用于不需要移相调整的电路或当中。比如功能单一的开关功能,过零触发可以最大程度的消除干扰。施加驱动信号后的第一个过零点导通(驱动信号与过零点“与运算”的关系),比如:MOC3063、MOC3083等。

7.1.1 过零检测型光耦内部结构

7.1.2 可控硅控制样图

T1与栅极之间悬空或接一个分流电阻;双向触发串联限流电阻后,加在栅极和T2之间;如下图所示。T2接热端还是负载没有关系;若能够确定电源的相线和零线,T1接在零线上较好。

7.1.3 T1、T2连接位置与波形

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主要用于移相控制电路,如调光调速等改变导通角的驱动应用当中。施加信号后即导通(通常用于斩波、调功,会对电网产生干扰),比如:MOC3021、MOC3052等。

7.2.1 可控硅控制样图

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1、参考:线性光耦HCNR201的内部原理 - 电子发烧友网
2、百度云盘搜索“光耦HCNR201内部原理及隔离电路”

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标签: 电容器串联后提高了耐压in4007串联电阻芯片光敏三极管10k电容器led连接器dc光耦集成电阻

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