什么是IEGT？

1980年左右，通用B?贾扬?巴利加发明IGBT，解决了当时MOSFET普通双极功率晶体管无法解决的问题。然而，随着产品的发展，我们发现这种新型设备存在静态损耗。因此，东芝半导体工程师在20世纪90年代率先实现了栅极注入增强（Injection Enhanced Gate Transistor）改进传统的技术IGBT，以该技术的首字母为名，注册了专属IEGT。也就是说IEGT本质上也是一个IGBT。

IEGT优越的性能决定了它非常适合在各种大功率变流器中使用。IEGT快速反并联二极管已经集成在内部，IEGT安全工作区域宽，能承受高dv/dt和di/dt，因此IEGT逆变器不需要阳极电抗，只需要公共关闭吸收电路。此外，IEGT不到门极驱动功率lW，门极驱动模块体积小。由于IEGT逆变器使用的元件数量少，可靠性大大提高。其典型特点如下： ●与GTO导通电压降也很低； ●与IGBT安全工作区域一样宽； ●门极采用电压驱动； ●工作频率500-1000Hz； ●高可靠性。

综上比较，IEGT将GTO和IGBT它有它的优点导通压降低、工作频率高，电压门极驱动，安全工作区宽，易于串联使用。 在功率等级和电压等级方面，IGCT、IEGT与IGBT定位远不同，IGCT及IEGT主要用于高压大容量场合，IGBT应用于低压高频小容量场合。综上两节所述，得到如下结论：●IGCT、IEGT500-10000开关频率很高Hz之间，虽然远不如IGBT高，但在很多场合都足够了。 ●IGCT它是电流脉冲驱动，驱动功率相对较大，但其门极驱动电路集成在IGCT在内部，只有门极驱动电源接口和光纤用于传输触发信号和反馈状态，驱动体积小且简单。IEGT是电压驱动器，驱动功率和IGBT差不多。 ●IGCT它是晶闸管的复合管，可以直接串联，不需要过多考虑均压措施。IGBT均压措施应考虑串联使用。 ●IGCT与IEGT特别是导通和关断很低，尤其是IGCT，不计驱动功率，电压等级相同IGCT损耗要比IGBT更低。 ●对于IGCT和IEGT来说，4.5kV/3kA它是一种常用的规格，其容量和电压等级远远高于IGBT大适合大功率应用FACTS在装置和大功率传动装置中。