造成电解电容鼓包都有哪些原因？
上图是一块电源板。如上图所示，红色框架中有输入的主滤波电容器。我们发现它显然很胖。我们称这种电容器为电容鼓包。
电容鼓包必然导致其电容下降。电容下降会导致输出电流不稳定，可能会烧坏后面的电子元件，当然也可能损坏前面的整流二极管。
电容鼓包最根本的原因是电源温度过高导致电解电容内部电解液气化，导致体内压力增加，导致鼓包。高温与电源转换效率密切相关。当转换效率高时，电源损耗小，产生的热量低，不易发生高温。其次，它与散热有关。例如，许多高端电源使用自启停风扇，可以根据电源温度调整风扇转速，使电源保持在较低温度下，自然电容器不容易出现问题。
1.极性反转
电解电容连接后通电，漏电会急剧增加，导致内部发热鼓包甚至爆炸。
2、耐压不够
长期使用电解电容器，特别是在高温环境下长期工作时，其电解液会减少，导致其耐压性下降。因此，建议选择1.5~2倍余量。
3.电解电容本身存在质量问题
如果你小心，你会发现无论容量大小，大多数电解电容器的顶部都会有不同形状的小间隙。它们起什么作用？欢迎在留言区发表评论。
对许多小功率MOS单片机可以直接驱动管道，因为它打开电压Vth要求不是很高，但对大多数人来说MOS管，其开启电压为2.5-4.5V在此之间，甚至更高，单片机直接驱动可能有问题，因此需要通过三极管进行转换。下图是单片机由三极管驱动MOS管的例子。
三极管是一种具有截止区、放大区和饱和区三种工作状态的流控器件。在截止区和饱和区工作，用作电子开关。以NPN例如，当三极管饱和导通时，基极与发射极之间的压差约为0.7V，因此，只要基极电压高于0.7V，三极管可以导通，而单片机在输出高电时至少可以达到3.3V，因此，单片机可以直接驱动三极管。
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