原标题：内存和SSD的区别 终于搞懂了
1、手机/电脑的内存和存储
如今，随着手机的不断推广和普及，电脑时代的辉煌已经被掩盖。许多新一代用户对手机的存储感到困惑，所以我们经常遇到Q：你的手机内存有多大？A：128GB其实我们也相信提问者只是想知道手机存储容量的大小，回答者已经按照约定的惯例回答了问题。
根据计算机组成原理分析：手机和计算机没有本质区别。主体结构仍然是输入设备、存储器、计算机、控制器和输出设备。至于外围的存储设备，它实际上只是一个辅助设备，所以它被称为辅助存储器。因为人们对结果有更多的需求，它已经成为人们似乎看得见的最重要组成部分——存储。
计算机的组成原理介绍了计算机的存储器：存储器是存储程序和数据的组成部分。对于计算机来说，只有有了存储器，才能有记忆功能，保证正常工作。存储器有很多种。根据其用途，可分为主存储器和辅助存储器。主存储器也被称为内存，如硬盘SSD等都是辅助存储器。
在网络上应用这样一个关于内存和存储的定义，你可能永远不会混淆：你吃花生CPU在处理数据时，硬盘容量是你的口袋大小（你能放多少花生），内存大小是你手的大小（你一次能抓多少）。
如今，手机和电脑内存都被使用了DRAM存储技术。DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机访问存储器，最常见的系统内存。DRAM数据只能保持很短的时间。为保持数据，DRAM使用电容器存储，因此必须定期刷新(refresh)如果存储单元不刷新一次，存储的信息就会丢失。
至于存储，主要有两种技术：HDD(Hard Disc Drive)和NAND Flash，关于HDD这里就不多介绍了。NAND Flash全名为Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，Flash内部存储是MOSFET，有一扇悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。
数据在Flash电荷用于内存单元(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的外部门(external gate)施加的电压控制电荷是冲入存储单元还是释放电荷。数据显示，存储的电荷电压是否超过特定阈值Vth来表示。
对于数据表示，单个存储单元中存储电荷的电压和特定阈值电压Vth，假如大于此Vth值是指1，相反，小于Vth，对nand Flash数据写入1是控制External Gate充电，使储存的电荷足够，超过阈值Vth，就表示1了。写入0就是放电，电荷减少到小于Vth，就表示0了。
2、DRAM和NAND的单位
从以上存储原理可以看出，DRAM和NAND实际上，存储单位是b，那为什么储存产品的容量通常用B标记呢？储存产品的颗粒容量用B标记？
以DRAM以内存颗粒为例，其存储组织结构为深度(Depth)加上位宽(Width)，以下是美光官方内存颗粒文档的分析，如编号MT40A1G16HBA-083E内存颗粒，其深度(Depth)和位宽(Width)分别为1Gb和16，容量明显为16Gb，我们可能会更好地理解内存颗粒的容量。
我们把MT40A1G16HBA-083E这个国家有16个城市，每个城市有1024x1024x1024(1G=1024M，1M=1024K，1K=1024)一个家庭，那么这个国家总共会有16个x1024x1024x1024个家庭，如果每个城市都有一个城门，每次只能放一个家庭，所以这个国家每次只能释放16个家庭。
现在不管是桌面PC或者手机已经基本进入64bit在这个时代，处理器每次吞吐数据的单位是64个，也就是说，处理器每次需要调动64个家庭，那么该怎么办呢？因此，我们将多个国家联合起来，对于一个拥有16个城市的国家来说，只有4个国家能够满足处理器的需求。但是，如果一些小国只有4个或8个城市，一次需要16个国家或8个国家来满足需求。
现在再来说说为什么DRAM或者NAND存储颗粒不适用于B，而是用B标记？事实上，对计算机原理略知一二的用户应该知道，现有的计算机系统结构B(Byte)表示字节，而b(bit)表示1个位。
对于单纯1个bit对于0或1，计算机识别是是或非，无数的0或1组织计算机不知道这意味着什么？数据应该如何对应于计算机的0或1？ACSII编码，每个字母或符号对应一个ACSII编码，使现实世界的语言与计算机完全对接。
ACSII编码规定每个符号占用的大小为8bit，简称字节(Byte)，在存储方面，一个字节是基本单位，因此存储文件Byte是最小单位。但不管是不是。DRAM还是NAND由于对接计算机甚至非计算机设备，其产品的存储单位属性不一定是Byte，所以依然为bit标注。
此外，在网络带宽等数据流中，USB带宽、PCI-E带宽，我们会发现B是单位，因为数据传输是以通道流的形式，就像上面的例子一样，一个家庭只能一次释放。在数据传输过程中，为了确保数据的安全，还会添加一些验证数据，例如USB 3.0就采用了8b/10b编码方法(每传输8bit需要添加数据2bit如果此时再次使用验证数据)Byte作为单位，章法明显混乱，不合时宜。
3、SLC、MLC、TLC NAND的区别
对于基于NAND对于存储技术设备，无论是U盘还是U盘SSD，甚至是SD卡，会涉及到问题成本，所以产品设计从SLC转变到MLC，再到TLC，甚至QLC后续也会出来，所以SLC、MLC、TLC对用户有什么影响？
SLC--SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层存储
SLC技术特点是浮动闸极和源极中的氧化膜较薄。写入数据时，可以通过加压浮动闸极的电荷，然后通过源极消除存储的电荷。这样，可以存储一个信息单元，可以提供快速的程序编程和读取，但该技术受到限制Silicon efficiency的问题，必须采用更先进的工艺强化技术(Process enhancements)，向上提升SLC制程技术。
MLC--MLC英文全称(Multi Level Cell——MLC)即多层存储
英特尔(Intel)1997年9月首次成功开发MLC，其功能是将两个单位的信息存储在一个中Floating Gate(电荷存储在闪存储单元中)，然后使用不同的电位(Level)通过内存储存的电压控制，准确读写电荷。MLC通过使用大量的电压等级，每次 个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构为0和1两个值，MLC因此，架构可以一次储存4个以上的值，MLC结构具有较好的存储密度。
TLC--TLC英文全称(Trinary-Level Cell)即三层存储
TLC即3bit per cell，每个单元可以存储比MLC多1/2的数据，共8个充电值，访问时间较长，传输速度较慢。TLC优势价格便宜，每百万字节生产成本最低，但寿命短，擦写寿命约1000次。
就像上面的介绍一样，从SLC到MLC再到TLC，cell对电压的精确控制更高，直接导致TLC寿命下降到只有1000次PE，而对应的SLC和MLC分别为10000 与3000相比，TLC耐久性显著下降。
TLC另一个缺点是数据的读写效率SLC时代，1个cell读一次/写一次bit，到MLC每次每次都需要读写bit，而到TLC时代上升到3bit，显然，由于工艺和主控的不断升级，电压控制程序的性能复杂性会变慢。TLC已经可以追平了MLC产品。
不过TLC耐久性硬伤不能在短时间内有效解决。TLC通过增加存储设备的容量，可以平衡磨损，变相演唱产品的使用寿命。
文章来源：中关村在线返回搜狐查看更多信息
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