硬件基础部件知识及选型
- 1 三极管
-
- 1.1三极管概述
- 1.2三极管原理
- 1.3 三极管分辨法
- 1.4 三极管分类选型
-
- 1.41三极管类型
- 1.42三极管选型
- 2 电阻
-
- 2.1电阻概述
- 2.2电阻分类及选型类型：
-
- 2.21电阻读取方法
- 1.42电阻选型
- 1.43电阻应用
- 3 电容
-
- 3.1电容概述
- 3.2 电容原理
-
- 3.3电容使用原理
- 3.4电容分类
- 4 场效应管
-
- 4.1 绝缘栅场效应管（MOS管）概述
- 4.1 绝缘栅场效应管（MOS管）原理
- 4.3 MOS分辨方法
- 4.4 MOS分类及选型
- 5 电感
-
- 5.1电感概述
- 5.2电感原理
- 5.3电感分类
- 5 线规
1 三极管
1.1三极管概述
三极管，全称为半导体三极管，又称双极晶体管、晶体三极管，是一种半导体器件的作用是将微弱信号放大成大范围值的电信号， 也用作无触点开关。
1.2三极管原理
三极管是半导体的基本部件之一，它是电子电路的核心部件。三极管是在一个半导体基板上制作两个非常接近的PN结，两个PN结将整个半导体分为三部分，中间为基区，两侧为发射区和集电区。PNP和NPN两种，如图1所示。 
NPN与PNP区分:箭头朝内PNP，箭头朝外NPN，箭头导通电压，电压导通，电流控制；
三种工作状态：，放大(暂时不用)，；
| 工作状态 | 发射结 | 集电结 |
|---|---|---|
| 饱和状态 | 正偏 | 正偏 |
| 截止状态 | 反偏 | 反偏 |
1.3 三极管分辨法
方法一:用数字万用表测量时，用二极管档测量，红表笔相当于电池，黑表笔相当于电池。。 先测基极：表笔两次导通，表笔两次截止为基极。再次测量集电极和发射极：基极和集电极的压降小于基极和发射极的压降。
1.4 三极管分类选型
1.41三极管类型
三极管的常用类型有两种。由于这两种三极管工作时对电压极性的要求不同，不能相互替代。
锗和硅材料是三极管的材料。它们之间最大的区别是起始电压不同。锗管PN结的导通电压为0.2V而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。在放大电路中，一般可以用相同类型的锗管代替相同类型的硅管，或者用相同类型的硅管代替相同类型的锗管，但必须调整基极偏置电压，因为它们的起始电压不同。但必须具体分析脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管能否交换，不能盲目更换。
1.42三极管选型
需要了解三极管的主要参数。最好手里有一本晶体管特性手册。三极管的参数很多。根据实践经验，我认为我们主要了解三极管的四个极限参数:ICM、BVCEO、PCM及fT可满足95%以上的使用需求。
1.最常用于电子电路。主要用作小信号的放大、控制或振荡器。选择三极管时，首先要弄清楚电子电路的工作频率。 特征频率fT。随着工作频率的增加，三极管的放大能力会降低，对应β=1时的频率fT特征频率称为三极管。 一般要求：
-
当三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。如果集电极和发射极之间的电压超过这个值，三极管可能会产生很大的集电极电流，这被称为击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。BVCEO可根据电路的电源电压来决定选择，
-
PCM它是集电极最大的允许耗散功率。当三极管工作时，集电极电流会在集电结上产生热量并加热三极管。如果耗散功率过大，三极管就会烧坏。如果三极管在使用中大于PCM长时间工作会损坏三极管。需要注意的是，大功率三极管给出的最大允许耗散功率是加入一定规格散热器时的参数。使用时一定要注意这一点。
4** ICM**它是集电极的最大允许电流。当集电极电流超过一定值时，其电流放大系数β它会下降的。因此，三极管的电流放大系数规定β当变化不超过允许值时，集电极的最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM三极管不会损坏，但会造成损坏β降低值会影响电路的工作性能。。 对于大功率三极管，只要不是高频发射电路，我们都不必考虑三极管的特征频率fT。三极管的集电极-发射极反向击穿电压BVCEO这一极限参数的考虑与小功率三极管相同。集电极最大允许电流ICM选择主要根据三极管的负载情况计算。三极管的集电极最大允许耗散功率PCM这是大功率三极管的关键问题。需要注意的是，大功率三极管必须有良好的散热器。
2 电阻
2.1电阻概述
电阻是阻碍物质中电子流动的能力，即电阻值和单位Ω。 电阻器是一种对电流流动有一定阻力的装置。电阻器通常被称为电阻，以便更方便地表达。 1KΩ=1000Ω，1MΩ=1000KΩ。
2.2电阻分类及选型类型：
**电阻特性：**伏安特性 温漂也重要 非线性电阻： 功率：P=I2R 标称阻值 额定功率 允许误差 R1:R2=U1:U2