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三极管从入门到精通

文章目录

  • 摘要
  • 1 基础
    • 1.1 PN结
    • 1.2 三极管
  • 2 三极管模拟电路知识
    • 2.1 I-V特性曲线
    • 2.2 解释极限参数
    • 2.3 基本共射极放大电路
    • 2.4 小信号模型
    • 2.5 用小信号模型分析基本共射极放大电路
  • 3 三极管实际模拟电路应用图
    • 3.1 共射极放大电路
      • 3.1.1 基本共射极放大电路
      • 3.1.2 基极压射极偏置电路
    • 3.2 共集电极放大电路(射极输出器)
    • 3.3 共基极放大电路
    • 3.4 各类电路总结
    • 3.5 多级放大电路
      • 3.5.1 共射-共基放大电路:
      • 3.5.2 共集-共集放大电路
      • 3.5.3 共源-共基放大电路
  • 4 最后

摘要

开关时三极管的区别和用法。根据模拟电路的需要,介绍了三极管I-V特征曲线,2N以551三极管为例,解释了数据手册中各参数的含义。进一步说明了三极管静态工作点、共射、共集、共基放大电路的特点proteus模拟介绍了三极管的H参数和各放大电路的小信号模型。最后简要介绍了三极管多级放大电路。

2022年5月12日

1 基础

1.1 PN结

首先,半导体器件的基础是PN结,将三价元素和五价元素混合在硅中,使其有空穴,载流子为正电荷,称为P区。另一边带电子,载流子为负电荷,称为N区。 在这里插入图片描述 由于相互吸引,P区与N区相邻,P部分正电荷跑到N区,中和N区的电子,导致P区留下负离子。 N区一部分负电荷扩散到P区,中和P区的正电荷,导致N区剩下了不能移动的正离子。这一部分之间载流子都被中和掉了,电阻率很高,叫做耗尽区,或者PN结。 当对PN当P区电压高于N区时,从P到N,P区正电荷向N区移动,N区负电荷向P区移动,使原本失去载流子的耗尽区负流子得到补充,PN结变窄,阻止很小,PN结处于导通状态。 当P区电压低于N区电压时,电场由N指向P,PN结内部,P区正电荷向P外侧移动,N区负电荷向N区外移动,最终使中间PN结变宽,阻值大,PN结处于无导电状态。

1.2 三极管

我们常说的三极管是双极结型三极管(Bipolar Junction Transistor,BJT),三极管的场效应(FET)金属氧化物半导体三极管也是常见的三极管(MOSFET)。 NPN三极管和PNP三极管的本质区别是基极N区或P区的区别。 物理结构如下: 其中的P和N即上述PNP区和N区结中。C接地时,B控制引脚,NPN型三极管控制脚为高电平时,三极管导通。PNP当三极管控制脚为负电压时,三极管导通。 三极管常用于数字电路中的电子开关,这就是实际三极管电子开关电路如下: 在proteus内部,可选2N5401和2N5551小功率硅三极管用作互补管。 从每个引脚流过的电流分别为IC、IE、IB,且IE=IB IC。 BJT它是电流控制元件,具有放大电流的功能。 当共射极连接时,有

2 三极管模拟电路知识

2.1 I-V特性曲线

三极管I-V特征曲线包括输入特征曲线和输出特征曲线。 输入特性曲线为: 对于输入端B,有以下特点: 输出特性曲线为: 输出端具有以下特点: 共基极连接时, 此时,B端电压为参考电压,输入端E电压低于B,输出端C电压高于B。 对于输入端E,具有以下特点:

输出端具有以下特点:

当三极管在不同的状态下工作时,它们各不相同PN结的状态如下:

2.2 解释极限参数

如图,在BJT数据手册中有以下极限参数: 解释如下

BJT正常工作条件的主要要求:

2.3 基本共射极放大电路

如上图所示,大写代表直流,小写代表交流信号。vs输入小信号,vce输出信号。 求静态工作点: 当VS变化时,如正弦交流信号,按以下原则分析电路中的通路: 则基本共射极放大电路的交流通路如下: 当输入信号vs变化时,三极管电流ib会变化,导致ic、vce变化,三极管在特性曲线上的点相对于静态工作点Q发生移动。

上面是解析法求静态工作点,还可以使用图解法求静态工作点。

当加上交流输入信号vs后,交流动态工作点如下图: 由图可见,共射极放大电路输出相位相反。

2.4 小信号模型

BJT是一个非线性器件,高频特性和低频特性存在很大差异。 对于电路网络,一般只关心输入端口和输出端口,即二端口网络,模型如下: 可以通过vi、vo、i1、i2来研究该网络特性。 将BJT看作一个黑盒,三个引脚组成二端口网络。经过人们研究,最终找到了H参数来描述BJT共射极电路小信号模型,如下:

则有函数关系:

一般的BJT在共射极连接时,其H参数大小范围大致如下,可以忽略部分参数对小信号模型进行简化: 我们只需要β一个参数即可。式中rbb’是输入三极管B端的电阻。 如下:

并且我们前面说到,当C极负载电流过大时,其放大系数会降得很低,在数据手册中可以看到下图: 我们一般信号不高于50MHZ,可以忽略该影响。

2.5 用小信号模型分析基本共射极放大电路

如下题:

3 三极管实际模拟电路应用图

3.1 共射极放大电路

3.1.1 基本共射极放大电路

如下图所示电路: 图中红色圆点近似为静态工作点. 因此,可以选择增大VCEQ,即降低电阻R8,如下:

3.1.2 基极分压式射极偏置电路

在实际应用中,由于温度升高、电源噪声会带来BJT静态工作点移动的问题,而基本共射极放大电路不能解决。下面的电路可以有效解决该问题。

在交流信号下,小信号等效模型为:

仿真电路图如下: 此电路电压增益约为5倍,输入电阻600R,输出电阻30R。但若不加旁路电容C5,或C5电容太小,则电压增益会迅速下降。 可见,用单个BJT做的放大电路增益一般有限,几十上百左右。而放大器做放大电路,增益轻轻松松可达上百。但是BJT是基础,掌握BJT放大电路是电子工程师的基本技能。

3.2 共集电极放大电路(射极输出器)

电路如下: 其小信号模型如下:

3.3 共基极放大电路

其小信号模型为: 电压增益为:

此时频率为500HZ,随着频率的提高,其放大倍数会提高。当10KHZ时,如下: 可见增益已经从4变成了25。

3.4 各类型电路总结

3.5 多级放大电路

3.5.1 共射-共基放大电路:

电路图如下:

3.5.2 共集-共集放大电路

3.5.3 共源-共基放大电路

4 最后

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