- 场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
- 场效应管是由电压控制的电流装置VGS控制ID，普通晶体三极管由电流控制IB控制IC。MOS管道放大系数为(跨导管)gm）当栅极电压发生变化时，会漏极电流变化。晶体三极管是电流放大系数(贝塔β）当基极电流发生变化时，集电极电流会发生变化。
- 场效应管栅极与其它电极绝缘，无电流；三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此，场效应管的输入电阻远高于三极管。
- 只有大多数载流子参与导电；三极管有两种载流子：大多数载流子和少数载流子参与导电。由于少数载流子的浓度受温度、辐射等因素的影响较大，场效应管的温度稳定性优于三极管。
- 当源极不与衬底连接时，源极和漏极可以交换使用，特性变化不大，而三极管的集电极和发射极交换使用时，其特性差异很大，b 值会减少很多。
- 场效应管的噪声系数很小，场效应管应选用于低噪声放大电路的输入级和要求高信噪的电路。
- 场效应管和普通晶体三极管可形成各种放大电路和开关电路，但场效应管制造工艺简单，具有普通晶体三极管无与伦比的优良特点，在各种电路和应用中逐渐取代普通晶体三极管，目前大型超大型集成电路，已广泛应用于场效应管。
- 输入阻抗高，驱动功率小——因为格栅源之间有二氧化硅（SiO2)绝缘层，栅源之间的直流电阻基本为SiO2绝缘电阻一般达到100MΩ交流输入阻抗基本上是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，激励信号不会产生压降，电压可以驱动，所以驱动功率很小(灵敏度高)。一般晶体三极管必须有基极电压Vb，产生基极电流Ib，驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动需要功率（Vb×Ib）。
- 开关速度快——MOSFET开关速度与输入容性特性密切相关。由于输入容性特性的存在，开关速度变慢，但作为开关，可以降低驱动电路的内阻，加快开关速度（输入由以下灌流电路驱动，加快容性充放电时间）。MOSFET只有多子导电，没有少子存储效果，所以关闭过程非常快，开关时间为10-100ns工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管道开关电源的工作频率很容易达到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)。
- 无二次击穿——由于普通功率晶体三极管在温度升高时会导致集电极电流升高(正温~电流特性)，而集电极电流升高会导致温度进一步升高，温度进一步升高，进一步导致集电极电流升高的恶性循环。晶体三极管的耐压性VCEO随着管道温度的升高逐渐下降，导致管道温度持续升高，耐压性持续下降，最终导致晶体三极管击穿。这是一种破环热电击穿现象，导致电视开关电源管和行输出管损坏率占95%，也称为二次击穿现象。MOS管道具有与普通晶体三极管相反的温度~电流特性，即当管道温度（或环境温度）升高时，通道电流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOS FET开关管，当VGS250C温度下IDS=3A，当芯片温度上升到1000C时，IDS降低到2A，由于温度升高，导致沟电流IDS负温度电流特性下降，不会产生恶性循环和热击穿。也就是MOS管道无二次击穿，可见采用MOS管道作为开关管，其开关管的损坏率大大降低，近两年采用电视开关电源MOS取代过去的普通晶体三极管后，开关管的损坏率大大降低也是一个很好的证明。
- MOS管道导通后，其导通特性为纯电阻-普通晶体三极管在饱和导通中几乎是直通的，有一个很低的压降，称为饱和压降。既然有压降，那就是；饱和导通后，普通晶体三极管的等效电阻很小，但这种等效电阻是非线性电阻(电阻上的电压和流过的电流不能符合欧姆定律)，MOS管道用作开关管，饱和导通后，电阻也很小，但电阻等于线性电阻，电阻和电压降和流动电流符合欧姆定律，电流压降大，电流压降小，由于等效是线性元件，线性元件可以并联应用，当两个电阻并联时，有自动电流平衡，所以MOS当管道功率不足时，多管并联应用，无需增加其他平衡措施（非线性设备不能直接并联应用）。 MOS与普通晶体三极管相比，管道具有上述四个优点，足以制造MOS在开关应用状态下，管道完全取代普通晶体三极管。目前的技术MOS管道VDS能做到1000V，只能作为开关电源的开关管应用，随着制造工艺的不断进步，VDS随着显像管电视机显像管电视的行输出管的不断改进。
MOS与普通晶体三极管相比，管道有许多优点，但作为大功率开关管，由于MOS管道具有容性输入特性，MOS管道的输入端相当于一个小电容器。输入的开关激励信号实际上是在反复充放电电容器的过程中。在充放电过程中MOS导管和关闭滞后，减缓了开和关的过程，这是开关元件不允许的(功耗增加，开关管烧坏)。
压波形变成B畸变波形，导致开关管不能正常工作和损坏，解决方案是，只要R足够小，甚至没有电阻，激励信号可以提供足够的电流，可以使等效电容快速充放电，使MOS开关管可快速开、关，保证正常工作。由于激励信号是有内阻的，信号的激励电流也是有限度，我们在作为开关管的MOS如下图所示，在管道的输入部分增加了一个灌流电路，以减少内阻，增加激励电流。
在上图中，作为开关应用MOS管Q3.栅极S和激励信号之间的增加Q1、Q两个开关管，两个管都是普通的晶体三极管，两个管串联连接，Q1为NPN型Q2为PNP类型，基极连接在一起(实际上是一个PNP、NPN互补射极跟随器)，两个管的等效性是两个在方波激励信号控制下轮流导通的开关，如下图A和B。
当激励方波信号的正半周到来时；晶体三极管Q1（NPN）导通、Q2（PNP）截止，VCC经过Q1导通对MOS开关管Q因为Q一是饱和导通，VCC等效添加等效MOS管Q3.栅极瞬时充电电流大，充电时间短，保证MOS开关管Q快速开，如图A所示(图A和图B中的电容C为MOS管栅极S等效电容)。 当激励方波信号的负半周到来时；晶体三极管Q1（NPN）截止、Q2（PNP）导通，MOS开关管Q3的栅极充电荷，经过Q2迅速放电，由于Q二是饱和导通，放电时间极短，保证MOS开关管Q如上图B所示，3的快速关。 由于MOS在制造过程中，栅极S引线的电流容量有一定的限制，因此在Q1饱和导通时VCC对MOS管栅极S的瞬时充电电流巨大，极易损坏MOS管道保护管道的输入端MOS管道安全，必须采取措施限制具体电路中瞬时充电的电流值，并在栅极充电电路中串联适当的充电限流电阻R，如下图A所示。 根据充电限流电阻R的电阻值选择；MOS管道输入电容的大小，激发脉冲频率和灌流电路VCC（VCC一般为12V）大小一般在几十姆欧到一百欧姆之间。
由于充电限流电阻的增加，在激励方波负半周时Q2.导通时放电速度有限(充电时是VCC产生电流，放电是栅极充电的电压VGS产生电流，VGS远远小于VCC,R放电速率大大降低)MOS为了使R阻值在放电时不影响快速放电的速率，管道的开关特性变坏，形成放电通路的二极管并联在充电限流电阻R上D，如上图B所示。二极管在放电时导通，在充电时反偏截止。二极管在放电过程中导通，在充电过程中反偏截止。这样，在增加充电限流电阻和放电二极管后，不仅保证了MOS又保证了管道的安全MOS管、开和关的快速动作。
另一种形式的灌流电路用于一些功率较小的开关电源MOS管道通常采用下图A的电路模式。
图中 D充电二极管，Q放电三极管（PNP）。当激励方波为半周时，工作过程就是这样，D导通，对MOS当激励方波负半周时，管输入端等效电容充电(此时Q截止)，D截止，Q导通，MOS通过Q放电，管栅极S充电，MOS如上图B所示，管道完成开和关的动作。该电路由激励信号直接灌流该电路通常用于低功率开关电源。
MOS管道在开关状态下工作；Q1、Q二是轮流导通，MOS如果此时关闭电源，管栅极处于反复充放状态，MOS管道的栅极有两种状态；一种状态是；放电状态，栅极等效电容器无电荷存储，另一种状态是；充电状态，栅极等效电容器正好充满电荷，如下图A所示。
尽管此时电源被切断Q1、Q2也处于断开状态，电荷没有释放电路，MOS管栅极的电场仍然存在（可以长时间保持），建立导电通道的条件并没有消失。这样，在再次启动时，由于激励信号尚未建立，启动时间MOS管道漏极电源(VDS)在导电沟的作用下，随机提供，MOS即刻产生不受控的巨大漏极电流ID，引起MOS管烧坏。
为了避免此现象产生，在MOS管的栅极对源极并接一只泄放电阻R1，如下图B所示，关机后栅极存储的电荷通过R1迅速释放，此电阻的阻值不可太大，以保证电荷的迅速释放，一般在5K～数10K左右。
灌流电路主要是针对MOS管在作为开关管运用时其容性的输入特性，引起“开”、“关”动作滞后而设置的电路，当MOS管作为其他用途；例如线性放大等应用，就没有必要设置灌流电路。
防静电保护 MOS管是属于绝缘栅场效应管，栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的电压将栅极和源极之间的绝缘层击穿。早期生产的MOS管大都没有防静电的措施，所以在保管及应用上要非常小心，特别是功率较小的MOS管，由于功率较小的MOS管输入电容比较小，接触到静电时产生的电压较高，容易引起静电击穿。
而近期的增强型大功率MOS管则有比较大的区别，首先由于功能较大输入电容也比较大，这样接触到静电就有一个充电的过程，产生的电压较小，引起击穿的可能较小，再者现在的大功率MOS管在内部的栅极和源极有一个保护的稳压管DZ（如下图所示），把静电嵌位于保护稳压二极管的稳压值以下，有效的保护了栅极和源极的绝缘层，不同功率、不同型号的MOS管其保护稳压二极管的稳压值是不同的。虽然MOS管内部有了保护措施，我们操作时也应按照防静电的操作规程进行，这是一个合格的维修员应该具备的。
在修理电视机及电器设备时，会遇到各种元器件的损坏，MOS管也在其中，这就是我们的维修人员如何利用常用的万用表来判断MOS管的好坏、优劣。在更换MOS管时如果没有相同厂家及相同型号，如何代换的问题。 1、MOS管的测试： 作为一般的电器电视机维修人员在测量晶体三极管或二极管时，一般是采用普通的万用表来判断三极管或者二极管的好坏，虽然对所判断的三极管或二极管的电气参数没法确认，但是只要方法正确对于确认晶体三极管的“好”与“坏”还是没有问题的。同样MOS管也可以应用万用表来判断其“好”与“坏”,从一般的维修来说，也可以满足需求了。 检测必须采用指针式万用表（数字表是不适宜测量半导体器件的）。对于功率型MOSFET开关管都属N沟道增强型，各生产厂的产品也几乎都采用相同的TO-220F封装形式（指用于开关电源中功率为50—200W的场效应开关管），其三个电极排列也一致，即将三只引脚向下，打印型号面向自巳，左侧引脚为栅极，右测引脚为源极，中间引脚为漏极如下图所示。
1）万用表及相关的准备：
首先在测量前应该会使用万用表，特别是欧姆档的应用，要了解欧姆挡才会正确应用欧姆挡来测量晶体三极管及MOS管。 用万用表的欧姆挡的欧姆中心刻度不能太大，最好小于12Ω（500型表为12Ω），这样在R×1挡可以有较大的电流，对于PN结的正向特性判断比较准确。万用表R×10K挡内部的电池最好大于9V，这样在测量PN结反相漏电流时比较准确，否则漏电也测不出来。
现在由于生产工艺的进步，出厂的筛选、检测都很严格，我们一般判断只要判断MOS管不漏电、不击穿短路、内部不断路、能放大就可以了，方法极为简单： 采用万用表的R×10K挡；R×10K挡内部的电池一般是9V加1.5V达到10.5V这个电压一般判断PN结点反相漏电是够了，万用表的红表笔是负电位（接内部电池的负极），万用表的黑表笔是正电位（接内部电池的正极），如上图所示。 2）测试步骤： 把红表笔接到MOS管的源极S；把黑表笔接到MOS管的漏极D，此时表针指示应该为无穷大，如下图所示。如果有欧姆指数，说明被测管有漏电现象，此管不能用。
保持上述状态；此时用一只100K～200K电阻连接于栅极和漏极，如下图所示；这时表针指示欧姆数应该越小越好，一般能指示到0欧姆，这时是正电荷通过100K电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，所以万用表指针偏转，偏转的角度大（欧姆指数小）证明放电性能好。
此时在上图的状态；再把连接的电阻移开，这时万用表的指针仍然应该是MOS管导通的指数不变，如下图所示。虽然电阻拿开，但是因为电阻对栅极所充的电荷并没有消失，栅极电场继续维持，内部导电沟道仍然保持，这就是绝缘栅型MOS管的特点。如果电阻拿开表针会慢慢的逐步的退回到高阻甚至退回到无穷大，要考虑该被测管栅极漏电。
这时用一根导线，连接被测管的栅极和源极，万用表的指针立即返回到无穷大，如上图所示。导线的连接使被测MOS管，栅极电荷释放，内部电场消失；导电沟道也消失，所以漏极和源极之间电阻又变成无穷大。
2、MOS管的更换
在修理电视机及各种电器设备时，遇到元器件损坏应该采用相同型号的元件进行更换。但是，有时相同的元件手边没有，就要采用其他型号的进行代换，这样就要考虑到各方面的性能、参数、外形尺寸等，例如电视的里面的行输出管，只要考虑耐压、电流、功率一般是可以进行代换的（行输出管外观尺寸几乎相同），而且功率往往大一些更好。 对于MOS管代换虽然也是这一原则，最好是原型号的最好，特别是不要追求功率要大一些，因为功率大；输入电容就大，换了后和激励电路就不匹配了，激励灌流电路的充电限流电阻的阻值的大小和MOS管的输入电容是有关系的，选用功率大的尽管容量大了，但输入电容也就大了，激励电路的配合就不好了，这反而会使MOS管的开、关性能变坏。所示代换不同型号的MOS管，要考虑到其输入电容这一参数。 例如有一款42寸液晶电视的背光高压板损坏，经过检查是内部的大功率MOS管损坏，因为无原型号的代换，就选用了一个，电压、电流、功率均不小于原来的MOS管替换，结果是背光管出现连续的闪烁（启动困难），最后还是换上原来一样型号的才解决问题。 检测到MOS管损坏后，更换时其周边的灌流电路的元件也必须全部更换，因为该MOS管的损坏也可能是灌流电路元件的欠佳引起MOS管损坏。即便是MOS管本身原因损坏，在MOS管击穿的瞬间，灌流电路元件也受到伤害，也应该更换。就像我们有很多高明的维修师傅在修理A3开关电源时；只要发现开关管击穿，就也把前面的2SC3807激励管一起更换一样道理（尽管2SC3807管，用万用表测量是好的）。 另外 “工欲善其事必先利其器”准备一本MOS管手册、一块好的万用表（欧姆挡中心刻度12欧或更小）、一套好的工具是必须的。