说到电容器，它应该是一个众所周知的设备。它在电子技术领域有许多重要的应用。无论是超级电容器还是固态电容器，它的工作仍然与充电、放电和存储功率密不可分。但当它与电阻或电感器一起使用时，它会产生许多新的功能，其中一个是众所周知的RC延迟电路。先看下面的电路：
我添加了这个电路TP3、TP4和TP5作为测试点，用示波器测量数据验证结论很方便。这是一个上电延迟电路，元件Q1（MOSFET）控制着24V电源开关状态；电阻器R19与R20分压电路限制Q1的栅极（G）电压（约20V）；此时的电容器BC17扮演两个角色：交流导通和延迟控制。
在系统上电启动时，Q1由于是P-MOSFET(栅极低电平导通型，反之亦然N-MOSFET），根据电容器两端抑制电压突变的特性(交流导通)，上电瞬间BC两端的电压均为24V，TP5的电压也是24V，因此Q1.关闭试验点TP4的电压为0；
因为上电的瞬间TP5电压达到了24V，电阻器R19的另一端接地，所以BC17与R19所组成的RC延迟电路提供了一个约540的放电路径ms的MOSFET关闭时间。用示波器连接三路探头TP3、TP4和TP以下波形可以下波形：
黄色信号（TP5)上电后约540ms之后，红色信号（TP4）代表的MOSFET开始导通，状态变成高电平。这时可以看到。TP当电平达到21时，5的电平从上升到最高点开始缓慢下降V左右，TP4的电平开始上升，即Q1开关打开。
为什么会是21V呢？这是由MOSFET由导通阀值决定，R19与R由20组成的电压偏置电路是为了设定值。MOSFET从数据手册中可以找到相关规格：
红色方框部分是源极（S）与栅极（G）导通阀之间的最大值不超过2.4V；示波器刚才测得的V(GS)约为3V，足以保证MOSFET的导通。
最后，我们需要做一个验证，即取消电容器BC17.证明其在延迟电路中的地位。从原理图可以直接看出，没有电容器的作用，系统上电后24V直接是通过R19与R打开20偏置Q1.完全没有以前的延迟效果。
通过以上对比验证，可以了解电容器在延迟电路中的核心地位RC电路制造出540ms延迟有效抑制了开关抖动引起的干扰和冲击，保护了后端电路。
最后，可能还有朋友对上面的分析存在疑问，欢迎给我留言，我们一同讨论。
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