金属涂层，如铜膜，可以很容易地沉积在半导体材料上，如硅晶片，而无需电镀工艺进行预处理。但铜膜的附着力可能很弱，容易剥离。研究了氢氟酸溶液中蚀刻硅晶片化学镀前表面预处理的效果。为了研究涂层的粘附行为，氢氟酸中的蚀刻时间在1、3、5分钟内发生变化。场地发射电子显微镜(FESEM)观察化学镀样品的表面形态，用横截面分析测量涂层厚度，结果表明蚀刻时间长(5分钟)比1分钟(5分钟)μm)产生更厚的铜沉积物(8.5μm)。此外，铜膜与衬底的机械结合也通过增加蚀刻时间来改善。文章的全部细节一三三五八零陆肆三三三
采购方式采用商用涂有二氧化硅薄层(厚度:300纳米)的取向单晶硅晶片。将晶片切成较小的片(约1×1cm 2)作为无电沉积铜的基底。
无电镀铜可以在硅表面进行，也可以在不进行表面处理的情况下进行。然而，它会影响铜膜与衬底界面的结合。通过蚀刻预处理5分钟的硅衬底比其他蚀刻时间具有更强的附着力。基底的高表面粗糙度会导致高亲水性，从而导致基底上电镀液的高湿度。然而，应控制蚀刻时间，以防止完全去除二氧化硅层。