本征半导体的两种载流子：电子和空穴 本征激发(当半导体温度T>0K当电子从价带被刺激到导带时，同时在价带中产生空穴，即所谓的本征刺激)和复合速度，温度决定了载流子的浓度
温度越高，本征刺激越剧烈，载流子浓度越高，复合速度越快
温度对N型半导体多子浓度的影响相对较小，对少子的影响相对较大
PN结的形成： 扩散运动，形成空间电荷区(耗尽层，阻挡层，PN结）后产生的电场阻止了两端的多子（电子和空穴）向中部空间电荷区移动，但对于两端的少子（空穴和电子）而言反而加速了他们向另一端运动，称之为少子漂移
单向导电： P区外加正向电压(正极)，N区外反向电压，外部电场与耗尽层电场方向相反，在一定程度上削弱了耗尽层。当外部压降达到一定程度时，耗尽层的势垒不能阻止大量多子通过，电路导通 
P区外加反向电压(负极)，N区外连接正电压，外部电场加强耗尽层，使耗尽层变宽，导电困难，但加强漂移，形成反向饱和电流
PN结的电流方程 PN正向导通特性 1、死区 PN结反向导通特性 1.反向饱和电流 2.反向击穿:掺杂浓度低时，雪崩击穿，温度越高，雪崩击穿所需电压越高。 掺杂浓度高（PN气温越高，雪崩击穿所需的电压越低。 PN如果控制温度不过热，结反向击穿损伤的原因是温度过高烧结(二次击穿)，PN结仍能恢复正常状态 稳压二极管可以利用其反向击穿电流剧变和电压变化小的特点制成
PN结的电容特性 非线性电容器
扩散电容：由不平衡少子和电压之间的关系组成 伏安特性二极管
体电阻的存在导致电流比PN结小 反向电流较大 室温升高一度，正压降2-2.5mV 反向电流(温度传感器)0度(温度传感器)翻倍 UBR在很大程度上，根据PN调整结宽，而Uon不，硅管基本为0.7V
二极管的主要参数 1.整流电流：二级管长期工作可通过的平均正电流最大值 2、最高反向工作电压： 3.反向电流:电流越小，反向截止效果越好 4.工作频率最高，频率过大。在内部电容的作用下，可视为导通，无单向导电
大直流电压源用于导通二极管，使电阻显示与小交流电压源相关的特性
稳压二极管 反向击穿的电压变化小，反向击穿电压可调，但需要散热以避免热击穿 使用时必须有限流电阻，防止稳压二极管两端电压过高 主要参数：温度系数