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推挽输出和开漏输出的区别

一、推挽输出 推挽输出结构有两种MOS或者三极管接收到互补控制的信号控制,一个在导通,一个在截止日期,如下图所示 当VIN高电平,以上MOS导通,下面的MOS截止,Vout被上拉到VDD 当VIN低电平,以上MOS截止日期,下面MOS导通,Vout被下拉到GND

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优点:能输出高低电平,高低电平具有驱动能力 缺点:无法实现线与功能,如两个IO输出高电平,输出低电平,相当于短路

二、泄漏输出 只能输出低电平,需要外部拉电阻才能输出高电平。 优点:1。由于输出电平完全由上拉电阻的电源电平决定,可以实现电平转换。 2.线与功能可以实现

标签: 单一芯片推挽桥式磁场传感器

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