资讯详情

笔记:推挽输出、开漏输出

推拉输出不仅可以输出低电平,还可以输出高电平,可以直接驱动功耗小的数字设备。

当内部输出1电平时,上部MOS同时管道下方MOS管截至,IO口输出高电平。

当内部输出0电平时,上边的MOS管道同时截止下部MOS管导通,IO口输出低电平。

泄漏输出只能输出低电平,必须通过上拉电阻才能输出高电平。类似于三极管的集电极输出。

如上图:

内部输出1时MOS管道截止,输出和地面断开IO口实际上没有驱动能力,需要外部连接上拉电阻才能输出高电平,才能驱动数字设备。

内部输出0时MOS管导通,输出低电平,因此开漏能输出低电平。

原文地址:

单片机IO口科普:推拉输出、开漏输出详解当我们学习单片机和选择逻辑器件时,我们经常说这个芯片具有很强的推拉输出驱动能力,这个引脚是泄漏输出需要增加拉电阻。https://www.sohu.com/a/206866193_505888

标签: 单一芯片推挽桥式磁场传感器

锐单商城拥有海量元器件数据手册IC替代型号,打造 电子元器件IC百科大全!

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台