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STM32CUBEIDE(3)----GPIO输出模式,速率测试、开漏和输出说明

STM32CUBEIDE.3----GPIO输出模式、速率测试、泄漏和输出说明

  • 概述
  • 视频教学
  • csdn付费课程
  • 生成例程
  • 波形对应于不同的速率
  • LOW速率
  • Medium速率
  • High速率
  • Very High速率
  • 输出方式
  • 下载模拟文件
  • 推挽输出
  • 线与
  • 开漏输出
  • 输出电压
  • 最后

概述

本章主要GPIO不同配置在输出模式下的说明。 最近在弄ST和GD对于需要样品的课程,可以加组申请:615061293。

视频教学

如果听不到声音,请点击跳转观看。 https://www.bilibili.com/video/BV1JZ4y1a73G/

STM32CUBEIDE(3)----GPIO输出模式、速率测试、泄漏和输出说明

csdn付费课程

付费课程更详细。 https://download.csdn.net/course/detail/35611

生成例程

使用STM32CUBEMX在这里使用生成例程NUCLEO-L476RG开发板,因为我只有这个板的主频更快。 在这里插入图片描述

波形对应于不同的速率

以PC例如,在推拉输出无上下拉的情况下,输出速率主要有4种,一般低端MCU只有三种,没有Very High。

LOW速率

Medium速率

High速率

Very High速率

可以看出,端口的反应速度在不同的速度下是不同的。设置最大输出速率越大,响应越快,相应的噪声越大。

输出方式

在上图中,P-MOS带一个,说明是低电平导通。

上图是GPIO有输入和输出的示意图,如果简化为输出,如下所示。

下载模拟文件

https://download.csdn.net/download/qq_24312945/85250172

推挽输出

推挽输出的内部电路大概如下图所示,由一个P-MOS和一个N-MOS同时只有一根管子可以导通。 输出高电平时,P-MOS导通,N-MOS截至此时,电源电流进入R5。 输出低电平时,N-MOS导通,P-MOS此时电流流入R5的为0。

线与

推挽输出高电平与电源电压基本上没有压差 高低电平驱动能力强,推拉输出电流可达几十个mA。 但是无法进行线与操作,做进行线与操作,那么电源和地就会短路,因为mos管电阻很小。 从下图可以看出,电流通过Q3的P-MOS流到Q2的N-MOS,最后回地。

开漏输出

泄漏输出又称泄漏极泄漏输出简化后可视为以下示意图。 若仍使用上述推挽电路图,当N-MOS在低电平时,他的输出是一个高阻态。 可以看到,R5没有电流通过,电压接近0,所以GPIO外部输出不能高电平。 这时需要增加一个上拉,这样上拉的电流就会流出。 因此,在泄漏输出的情况下,需要增加一个上拉来输出高电平。 对于输出低电平,它类似于推拉输出,电流通过N-MOS流到地中。 上图中没有增加上拉,但需要增加泄漏输出模式,如下图所示。 电流通过N-MOS流回地中。

输出电压

由于推拉输出是通过单片机内部的电压输出的,因此其电压无法改变。 然而,泄漏输出是通过外部上拉的电压来改变泄漏输出模式下的电压。 下图为上拉为5V时候,也是可以驱动出去的,这个上拉电压最大值需要看单片机的耐压。

最后

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标签: 单一芯片推挽桥式磁场传感器

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