管脚描述
综述
访问DS18B20的事件序列
通信时序
管脚描述
VDD：电源引脚，当采用寄生电源的时候，VDD必须连接到地面
DQ：当使用寄生电源供电时，单总线使用的数据输入/输出同时向设备提供电源
GND：地
综述
①DS18B20片内的ROM中间有独特的64位编码，在后期通信中匹配。最高8位保存了低56位的循环冗余校准值（CRC）
②存储器中有9个字节，第九个字节是前八个字节的循环冗余校准值（CRC）
EEPROM(Electrically Erasable Programmable read only memory)指只读存储器的带电可擦可编程
③配置存储器
用户可以通过表格R0和R1的值来配置DS18B20分辨率，默认上电R0=1,R1=1(12位分辨率)分辨率越高，最大转换时间越长
访问DS18B20的事件序列
①初始化
单总线上的所有事件都必须从初始化开始，主设备发送复位脉冲，从设备响应中存在脉冲
②ROM命令(跟随任何数据交换请求)
ROM每台设备独特的64位命令ROM编码操作，这些命令允许主设备识别每个设备
搜索ROM、读取ROM、匹配ROM、跳过ROM、报警搜索
注：除搜索外ROM除了命令和报警搜索命令，执行这些ROM命令必须返回到初始化的第一步，然后执行功能命令
③DS18B20功能命令(跟随任何数据交换请求)
主设备通过ROM命令确定哪一个DS18B20可以通信后，可以到达DS18B20发送功能命令。
温度转换，写入临时存储器，读取临时存储器，复制临时存储器，召回EEPROM、读取供电模式
DS18B20采用严谨的1-Wire总线通信协议确保数据的完整性。该协议的主要信号形式是：复位脉冲、存在脉冲、写0、写1、读0和读1。主要设备执行除脉冲以外的所有其他信号。
1)初始化程序-复位和脉冲存在
与DS18B所有通信均从初始化序列开始，由主设备启动复位脉冲和DS18B20脉冲组成相应存在。DS18B20相应的脉冲是向主设备显示它在总线上，并准备通信。
初始化期间，主设备通过拉低总线超过480us（480us-960us）来发送（TX）复位脉冲后，主设备释放总线进入接收模式（RX）。当总线释放时，5kΩ当上拉电阻总线拉到高电平时。DS18B20检测到总线上升信号后，等待15us-60us，将总线拉低60us-240us来发送一个存在脉冲。
2)读写时间段
主设备通过写作时间段向DS18B20通过阅读时间段写入数据DS18B20中读取数据。在总线上，每个读写时段只能读写一个位数据。
①写时段
写作时间分为写1和写0两种情况，每个写作时间至少需要60个us持续时间，两个独立持续时间至少为1us恢复时间。写作时间是主设备降低总线进行初始化。
在写作期间，主设备将总线拉低15us释放总线后，总线上的上拉电阻将总线拉到高电平，直到写作时间结束。
写0时，主设备将总线拉低至少60us。
主设备初始化写时间后，DS18B20会在15us-60us对总线进行采样，如果总线是高电平，则逻辑1写入DS18B20中；如果总线是低电平，则逻辑0被写入DS10B20中。
②读时段
只有阅读时间，DS18B20可以将数据传输到主设备。因此，在主设备中读取临时存储器或供电模式或转换温度或召回EEPROM之后，要及时生成阅读时间，这样DS18B20可将所需数据传输给主设备。
阅读时间分为0和1两种情况，每个阅读时间至少需要60us两个独立阅读时间之间的持续时间至少为1us主设备通过减少总线超过1的恢复时间us完成阅读时间的初始化。(并释放总线，给予控制权DS18B20发数据）
DS18B20通过拉高总线发送逻辑1；通过拉低总线发送逻辑0。发送逻辑0后，DS18B20会释放总线，从上拉电阻拉到高电平。DS18B在初始化读期间，15输出数据us所以主设备要在15岁us数据采样在内部进行。