文章目录
- DDR3测试1-差分信号和单端信号的电压阈值
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- 单端信号的输入测试标准
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- CMD/ADDR
- DQ/DM
- Vref
- 差输入信号测试标准
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- 差分信号的差分电压要求
- 差分信号的单端电压要求
- 差分信号的交叉点要求
DDR3测试1-差分信号和单端信号的电压阈值
DDR3和DDR3L的VDD、VDDQ 电压不同 DDR3 VDD标准电压1.5V 电压动态范围 1.425-1.575V DDR3 VDDQ标砖电压1.5V 电压动态范围 1.425V-1.575V
VDDQ是用来给DDR的output供电的 在任何情况下都不允许VDDQ的电压高于VDD 通常使用VDD一起给电源轨道VDDQ供电的
单端信号输入测试标准
CMD/ADDR
- CMD
- ADDR
单端信号的输出主要是命令线和地址线 需要根据不同的阈值来确定不同的总线速度。具体值请参考表格。
DQ/DM
- DQ
- DM
Vref
- Vref(DC)
建立维持时间和AC/DC电压阈值为Vref为标准测量 Vref(DC)需要在1/2*VDD事实上，在大多数情况下，附近vref两个1%精度的电阻匹配。规范中的要求是Vref不能偏出1%Vdd电压
差输入信号测试标准
- DQS/DQS#
- CK/CK#
差分信号的差分电压要求
定义 tDVAC
- time above ac-level–> tDVAC 当输入差分信号的速度越高时，可以认为可以增加数字前端逻辑翻转所需的电荷，因此需要在高电平阈值以上保持足够长的电压。
测试要求
差分信号的单端电压要求
定义 测试要求
差分信号的交叉点要求
用单端探头分别测量差异对，取波形的实际交点和1/2*VDD的电压差。 该电压差应小于特定值，以满足时间要求。