DS18B20特性
内存表
ROM指令表
RAM指令表
DS18B20暂存器表
单个DS18B20温度转换过程
读取和计算温度
配置寄存器(分辨率)
读写时序
复位及存在检测
写时序
读时序
程序实现
读ROM | 33H | 读DS18B20温度传感器ROM种的编码 |
匹配ROM | 55H | 发出这个命令后,发出了64个ROM编码,访问单总线对应的编码DS18B20为下一步做出响应DS18B20的读写准备 |
搜索 ROM |
F0H | 用于确定挂在同一总线上的DS18B64位ROM地址,准备操作各种设备 |
告警搜索 | ECH | 执行后,只有温度超过设定值上限或下限的设定才能响应 |
写暂存器 | 4EH | 发出向内部RAM的3、4字节写上、下限温度数据命令,紧跟该命令之后,是传送两字节的数据 |
复制暂存器 | 48H | 将RAM中3,4字节的内容复制到EEPROM |
重调EEPROM | B8H | 将EEPROM中内容恢复到RAM中的3,4字节 |
读供电方式 | B4H | 读DS18B20的供电模式。寄生供电时 DS18B20发送 "0",外接电源供电DS18B20发送"1" |
- 高5位为 0,测到的数值
- 高5位为 1,测到的
注:上电复位后温度默认值是85°C
注:默认为12位分辨率
在初始化序列期间,总线控制器拉低总线并保持 冲,然后。单总线由4.7K 上拉电阻拉到高电平。当 DS18B20 探测到 I/O 引脚上的然后
总线控制器通过时序写 时序写所有写时序必须,包括 。当总线控制器把数据线从逻辑
所有读时序必须。当总线控制 器把数据线从高电平拉到低电平时,读时序开始,数据线必须至少保持 1us,然 后总线被释放。在总线控制器发出读时序后,。当传输逻辑 0 结束后,总线将被释放,通过上拉电阻回 到上升沿状态。从 DS18B20 输出的数据在
void Delay_us(uchar us)//进一次约6.5us
{
while(us--);
}
bit ds_init()
{
bit i;
DS = 1;
_nop_();
DS = 0;
Delay_us(75); //6.5*75>480us
DS = 1; //释放总线
Delay_us(4); //15~16us
i = DS;
Delay_us(20); //60~240us
DS = 1;
_nop_();
return (i);
}
void write_byte(uchar dat)
{
uchar i;
for(i=0;i<8;i++)
{
DS = 0;
_nop_();//5us
DS = dat & 0x01;//判断写0还是写1
Delay_us(10);//>60us
DS = 1; //释放总线
_nop_();
dat >>= 1;//数据右移
}
}
uchar read_byte()
{
uchar i, j, dat;
for(i=0;i<8;i++)
{
DS = 0;
_nop_();//5us
DS = 1;
_nop_();//5us
j = DS;//先读低位
Delay_us(10);//>60us
DS = 1;
_nop_();
dat = (j<<7)|(dat>>1);//得到的数先移到最高位,dat再右移一位
}
return (dat);
}
void main()
{
uint i;
uchar L, M;
while(1)
{
ds_init();//初始化
write_byte(0xcc);//跳过ROM
write_byte(0x44);//温度转换
ds_init();//初始化
write_byte(0xcc);//跳过ROM
write_byte(0xbe);//读寄存器
L = read_byte();//读低八位
M = read_byte();//读高八位
i = M;
i <<= 8;//高八位左移
i |= L;//与低相与八位
if(i&0XF800==0XF800)//判断高五位是否为1,为1为负值
{
i=~i+1;//如果为 1 ,则取反 i 再加 1
}
i=i*0.0625;
Display(i);
}
}