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51单片机DS18B20温度传感器及数码管显示温度

51单片机DS18B20温度传感器和数字管显示温度

DS18B20及数码管显示温度介绍

    • 51单片机DS18B20温度传感器和数字管显示温度
  • DS18B20作用
    • 怎么读取DS18B20的“1”和“0”
      • 如何在单片机的数码管上显示数码管?

DS18B20作用

        我们常用的DS18B20长什么样呢 

它一共有3个角,分别是 GND(接地) DQ(数据总线,单片机IO口相连) Vdd(供电) 我用的单片机是清翔的V3.21 单片机使用芯片STC89C52

DS18N20电路原理图 

所以我会用C语言 sbit DS = P2^2 声明这个IO口叫做DS(DS18B20数据总线),也就是我们可以写DS为 1或0 控制它是低电平还是高电平

传感器输出的信号不能是我们人类一眼就能看到的十进制数字。因此,我们需要DS18B20输出的数字信号转换为十进制数字,让我们人类理解

那我们该怎么读呢?DS18B当然,20号数字信号的前提是我们必须先发出指令DS18B知道我们想让它做什么

怎么读取DS18B1和020

DS18B20采用1-wire Bus(单总线时序),以前I2C和SPI(ADDA不同于中光敏电阻和热敏电阻,它只有一条线,所以我们在给它DS18B对我个人来说,在发出和接收信号时,任何时序都必须非常严格,以确保读取数据的准确性,SPI总线让我感觉很舒服,因为它只有三个函数(89C52),虽然1-wire只有三个函数,但它有非常严格的顺序要求,写作或阅读data需要多少微秒才能成功运行,等等,以后大家都会明白为什么。

我先给你看三个步骤,然后告诉你如何在C语言中实现这三个步骤

  1. 初始化DS18B20
  2. 写入ROM操作指令(我们通常在初中只使用ROM指令)
  3. 写入DS18B20功能指令(一般用温度准换指令,读取快速暂存器指令)

bit DSInit() { 
           bit i;   DS = 1;   _nop_();   DS = 0;   delay_us(75);//拉低总线499.45us延时,在DQ总线上的DS18B20全部被复位   DS = 1; ///释放总线   delay_us(4);  //37.95us   i = DS;   delay_us(20);   //141.95us,等待18b回到低电平存在信号   DS = 1;///释放总线   _nop_();   return (i); } //us执行函数,执行一次us所需6.5us进入一次11.95us void delay_us/span>(uchar us) { 
          while(us--); } 
图为初始化时序

初始化时序里面包含了复位DS18B20和接收DS218B20的存在信号

主机和DS18B20做任何通讯前都需要对其初始化,初始化期间,总线控制器拉低总线并保持480us以上,挂在总线上的器件将被复位,然后释放总线,等到15-60us,此时18B20将返回一个60-240us的低电平存在信号,我们需要等待60-240us,来接收完这个低电平存在信号

void DSWriteByte(uchar dat)    //总线每次只能写一位进去
{ 
        
  uchar i;
  for(i = 0;i<8;i++)
  { 
        
    DS = 0;   //下拉总线
    _nop_();    //产生一点时序
    DS = dat & 0x01;    //0x01 00000001
    delay_us(10);   //76.95us
    DS = 1;   //上拉总线
    _nop_();
    dat >>= 1;    //dat右移一位
  }
}
//读一个字节
uchar DSReadByte()
{ 
        
  uchar i,dat,j;
  for(i = 0;i<8;i++)
  { 
        
    DS = 0;
    _nop_();    //产生读时序
    DS = 1;     //释放总线
    _nop_();
    j = DS;
    delay_us(10);   //76.95us
    DS = 1;
    _nop_();
    dat = ((j<<7)|(dat>>1) );
  }
  return (dat);
}
图为写时序和读时序

  1. 写时序分为写0时序和写1时序
  2. 总线控制器通过控制单总线高低电平持续时间从而把逻辑1或0写DS18B20中。
  3. 总线控制器要产生一个写时序,必须将总线拉低最少1us,产生写0时序时总线必须保持低电平60~120us之间,然后释放总线,产生写1时序时在总线产生写时序后的15us内允许把总线拉高。注意:2次写周期之间至少间隔1us(完成一个for循环大概就1us)
  4. 各位谨记上拉总线电压来释放总线
  5. 每一次 DS18B20 的操作都必须满足以上步骤,若是缺少步骤或是顺序混乱,器件 将不会返回值。例如这样的顺序:发起 ROM 搜索指令[F0h]和报警搜索指令[ECh] 之后,总线控制器必须返回步骤 1。

因为我本身也是一个初学者,所以我对SPI总线和I2C还有UART串口通信,还比较模糊,我也建议各位认真,并且重复揣摩芯片手册,或者能读懂芯片手册,按照芯片手册来写出我们想要的效果,这样,我觉得我们才能成为一名合格的单片机学习者


怎么让数码管显示在单片机的数码管上

这里就直接给大家上代码吧!

代码很长,但希望大家能够仔细对照着时序图阅读

/*DS18B20只在一根通信线上 1-Wire 只有唯一的64位序列码储存在板载ROM(方便识别DS18B20) 12位分辨率对应为0.0625度*/
#include<reg52.h>
#include<intrins.h>

#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int

//共阴数码管段选表0-9
uchar code SMGduan[]= { 
        0x3F, 0x06, 0x5B, 0x4F, 0x66, 0x6D, 0x7D, 0x07, 0x7F, 0x6F,};
//数码管位选码
uchar code SMGwei[] = { 
        0xfe, 0xfd, 0xfb, 0xf7};

sbit DS = P2^2;     //DS18B20 DQ数据角
sbit DU= P2^6;
sbit WE = P2^7;

void delay_us(uchar);
/*1.初始化 2.ROM操作指令 3.功能指令*/

/*if i == 0 那么18b20在总线上并且准备就绪*/
bit DSInit()
{ 
        
  bit i;
  DS = 1;
  _nop_();
  DS = 0;
  delay_us(75);//拉低总线499.45us延时,在DQ总线上的DS18B20全部被复位
  DS = 1; //释放总线
  delay_us(4);  //37.95us
  i = DS;
  delay_us(20);   //141.95us,等待18b返回低电平存在信号
  DS = 1;//释放总线
  _nop_();
  return (i);
}
//写一个字节
void DSWriteByte(uchar dat)    //总线每次只能写一位进去
{ 
        
  uchar i;
  for(i = 0;i<8;i++)
  { 
        
    DS = 0;   //下拉总线
    _nop_();    //产生一点时序
    DS = dat & 0x01;    //0x01 00000001
    delay_us(10);   //76.95us
    DS = 1;   //上拉总线
    _nop_();
    dat >>= 1;    //dat右移一位
  }
}
//读一个字节
uchar DSReadByte()
{ 
        
  uchar i,dat,j;
  for(i = 0;i<8;i++)
  { 
        
    DS = 0;
    _nop_();    //产生读时序
    DS = 1;     //释放总线
    _nop_();
    j = DS;
    delay_us(10);   //76.95us
    DS = 1;
    _nop_();
    dat = ((j<<7)|(dat>>1) );
  }
  return (dat);
}
//us执行函数,执行一次us所需6.5us进入一次11.95us
void delay_us(uchar us)
{ 
        
  while(us--);
}
void display(uint i)
{ 
        
	uchar b, s, g;
	static uchar wei;
	b = i / 100;
	s = i % 100 / 10;
	g = i % 10;
	P0 = 0XFF;//清除断码
	WE = 1;//打开位选存器
	P0 = SMGwei[wei];
	WE = 0;//锁存位选数据
	P0 = 0XFF;//清除断码
	switch(wei)
	{ 
        
		case 0: DU = 1; P0 = SMGduan[b]; 	DU = 0; break;
		case 1: DU = 1; P0 = SMGduan[s]|0x80; 	DU = 0; break;
		case 2: DU = 1; P0 = SMGduan[g]; 	DU = 0; break;
	}
	wei++;
	if(wei == 3)
		wei = 0;
}
void main()
{ 
        
  uchar L,M;
	uint i;
  while(1)
  { 
        
    DSInit();   //初始化
    DSWriteByte(0xcc);    //发送忽略ROM指令
    DSWriteByte(0x44);    //发送完指令后,DS18B20开始转换并且存储到高速寄存器
    DSInit();
    DSWriteByte(0xcc);    //发送忽略ROM指令
    DSWriteByte(0xbe);    //读取DS18B20暂存器指令
    L = DSReadByte();   //读取LS BYTE
    M = DSReadByte();   //读取MS BYTE
    i = M;
    i<<=8;
    i |= L;		//效果为 假设M为00000111 左移八位变为 0000011100000000(<<自动补全0)然后或上L,相当于M+L 
    i = i*0.0625*10 +0.5;   //+0.5 为了四舍五入。因为if为int型,自动抛掉小数点后面
		display(i);
  }
}

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代码成功运行图:  				 坐标苏州,室内温度20度左右

标签: f0温度传感器

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