一：发明
肖特基二极管是发明人肖特基博士（Schottky）以肖特基势垒二极管命名（SchottkyBarrierDiode）的简称是SBD。 贵金属(金、银、铝、铂等)正极，N型半导体金属-半导体器件是一种低功耗、超高速半导体器件，由两者接触面形成的势垒具有整流特性而成。
二：优点
1.最显著的特点是反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)； 2.正向导通压降小，只有0.4V左右。
三：缺点
1.反向击穿电压低； 2.反向漏电流大。
四：应用
主要用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也用于微波通信等电路，常用于通信电源、变频器等。