比较四代磁传感器技术的优点和原理。
第一代：Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器
在洛仑兹力的作用下，电子在磁场方向上形成额外的横向电场，即霍尔电场的纵向磁场感应。
第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器
单磁层器件 平行磁场感应 工作场范围窄
第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器
电阻取决于自旋电子在薄膜界面的散射
第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器
- MR当电子通过第二层磁性材料时，定义了电子的自旋方向
- 自旋电子通过量子隧穿透效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层，然后选择性地穿过磁层(如果自旋相同，则通过-低电阻，否则不通过-高电阻)
- 在室温条件下，TMR最大电阻变化率（△R/R）超过500%。
- 优势
- 功耗低
- 灵敏度/分辨率高
- 工作范围宽
- 工作温度范围大
- 高频响，可达GHz