事实上，只要你了解三极管的特性，你就可以更容易地使用单片机。我们都知道三极管可以放大，但如何真正理解它是你将来是否会使用大部分电子电路和1C的关键。
一般来说，普通三极管是一种具有电流放大功能的设备。其他三极管也是基于这一原理的功能延伸。三极管的符号如下图左侧，我们将使用它NPN例如，三极管的工作原理。由于三极管是由二极管演变而来的，请记住PN总是P指向N，所以PNP还是XPN—很清楚.
是一个以b(基极)电流lb来驱动流过CE的电流Ic其工作原理与可控阀非常相似。
左细管中的蓝色小水流冲动杠杆打开了大水管的阀门，允许更大的红色水流通过阀门。蓝水流越大，大管中的红水流就越大。若放大倍数为100，则当蓝色小水流为1kg/h时，则允许大管流过100kg/h的水。当放大倍数为100时，三极管的原理与此相同lb(基极电流)为1M时，就允许100mA的电流通过Ice。你能理解我这么说吗？
这个原理大家可能都知道，但是用在电路上的情况是可以理解的，所以单片机的使用失去了很大的障碍。最常用的连接如下图所示。
让我们分析一下这个电路。如果它的放大倍数是100，我们将忽略基极电压。基极电流为10V 10K=lmA，集电极电流应为100mA。这是欧姆定律Rc上的电压就是0.1AX50〇=5V。那么剩下的5V吃三极管C、E极上了。
好现在假如我们让Rb为1K，那么基极电流就是10V lK=10mA，按放大倍数100计算，Ic也就是说，不就是10000mA也就是1A那呢？假如真的是1安，那么Rc上的电压为1AX50Q=50V。啊？50V!超过电源电压，三极管变成发电机吗？事实并非如此。见下图：
当控制电流为10时，我们仍然用水管中的流水来比较电流mA当主水管上的阀门打开时，可以流过1A电流，但不能有1A电流流过？不，因为上面有一个电阻，相当于一个固定开度的阀门。它串在主水管上。当下面可控阀的开度大于上面固定电阻的开度时，水流不会增加，而是通过上面固定阀的开度。因此，下面的三极管再次打开开度是没有用的。
因此，我们可以计算固定电阻的最大电流10V 50Q=0.2A也就是200mA。也就是说，当电路中的三极管基极电流增加时，集电极的电流也会增加lb增大到2mA集电极电流增加到200mA。当基极电流再次增加时，集电极电流不会再次增加，只有200mA不动。此时，上述电阻为起限流。
共发射极电路NPN管，ib当它变大时，它本质上是在基区注入空穴。如果是这样的话，注入的空穴会中和更多的发射电子。理论上，ic为什么会变小？ic还会以相应的倍数P放大？
图为三极管内部电流向【NPN型管，箭头指向代表电流方向，现在基极电流增加到2，表明基础上有更多的电子复合，合理地，集电极电流应该减少因为基础上有更多的电子复合，流向集电区的电子更少，但现实是集电极电流放大到6。显然，在增加基极电流的同时，发射极电流也在增加，基极电流和发射极电流也在增加一倍。为什么？
换句话说，如果我增加基极电流的两倍，从发射区到基区的电子将被两倍多的空穴复合。然而，此时此刻发射极发射的电子数量是原来的两倍。例如，右边的图片比原来的左边的图片多了一个单位的电子数量，但同时，发射区域多了四个单位的电子数量。我人为地增加了一个单位的基极电流，而发射极则增加了四个单位的电子电流，why?
不要用公式ie=ib-ic=(1 3)ib请从三极管内载流子的微观运动进行分析和说明.
1.发射区向基区发射电子
由于发射结处于正偏置，载流子扩散运动加强，发射区载流子（电子）扩散到基础（称为发射），大多数载流子（空穴）也扩散到发射区，但由于发射区电子浓度远高于基础，两者可以忽略基础空穴向发射区的扩散。因为两个电源Eb和Ec负极与发射极相连，因此发射区向基区发射区向基区的电子可以从电源中补充，从而形成发射极电流le.
2.基区电子扩散与复合
从发射区发射到基区的电子到达基区后，这些电子将继续扩散到集电结附近，因为发射结附近的电子浓度高于集电结附近的电子浓度。在扩散过程中，少数电子将与基区的空穴复合，因为电源Eb正极与基极相连，这些复合空穴可以由Eb补充形成基极电流lb。
因基区做的很薄，电子在扩散过程中通过基区的时间很短，加上基区的空穴浓度很低，所以从发射区发射到基区的电子在基区继续向集电结附近扩散的过程中，与基区空穴复合的机会很少，因而基电极的电流很小，大部分电子都能通过基区而到达集电结附近，所以集电极电流很大。更多交流学习可以私我昵称vx