电路设计基础知识（二）[转]

一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分组成：场效应器件、半导体特殊器件、复合管PIN型管和激光器件的型号命名仅由第三、四、五部分组成。五个部分的含义如下: 第一部分:半导体器件的有效电极数用数字表示。2-二极管，3-三极管 第二部分：半导体器件的材料和极性用汉语拼音字母表示。表示二极管：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:半导体器件的内型用汉语拼音字母表示。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管(可控整流器)Y-体效器件，B-雪崩管、J-阶跃恢复管，CS-场效应管、BT-半导体特殊器件，FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN硅材料高频三极管 日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件由五到七部分组成。通常只使用前五个部分，每个部分的符号意义如下： 第一部分:用数字表示器件有效电极的数量或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或两个pn其他结的设备，3-有四个有效电极或三个pn其他结的设备，┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-日本电子工业协会表示JEIA半导体分立器件注册。 第三部分：用字母表示材料的极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅，G-N控制极可控硅，H-N基极单结晶体管，J-P沟通场效应管，K-N 沟通场效应管，M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA注册顺序号。从11开始，两个以上的整数表示在日本电子工业协会JEIA注册顺序号；同一顺序号可用于不同公司性能相同的设备；数字越大，最近的产品就越多。 第五部分： 用字母表示同型号的改进产品标志。A、B、C、D、E、F该装置是原型号产品的改进产品。 美国半导体分立器件型号命名方法 第三，美国晶体管或其他半导体器件的命名方法比较混乱。美国电子工业协会半导体分件的命名方法如下: 第一部分：用符号表示设备用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部分:用数字表示:pn结数。1-二极管，2=三极管，3-3个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该装置已在美国电子工业协会使用（EIA）注册登记。 第四部分：美国电子工业协会的注册顺序号。多位数字-设备在美国电子工业协会注册的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同型号设备的不同档次。JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级，2-3极管，N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家，以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大多采用国际电子联合会半导体分立器件的命名方法。该命名方法由四个基本部分组成，每个部分的符号和意义如下： 第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-设备使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-使用材料的设备Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-使用材料的设备Eg>1.3eV 如砷化镓、D-使用材料的设备Eg<0.6eV 如锑化铟、E-该装置采用复合材料和光电池材料 第二部分：用字母表示器件的类型和主要特征。A-混频二极管检波开关B-变容二极管，C-低频小功率三极管，D-低频大功率三极管，E-隧道二极管，F-高频小功率三极管，G-复合器件等器件，H-磁敏二极管，K-开放磁路中的霍尔元件，L-高频大功率三极管，M-霍尔元件在封闭磁路中，P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管，T-大功率晶闸管，U-大功率开关管，X-倍增二极管，Y-二极管整流，Z-稳压二极管。 第三部分：注册号用数字或字母加数字表示。三位数字代表通用半导体器件的注册号，一个字母加两位数字代表特殊半导体器件的注册号。 第四部分：用字母对同一类型的设备进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的设备按某一参数分档。 除四个基本部分外，有时还会添加后缀，以区分特征或进一步分类。常见的后缀如下： 1.稳压二极管型号后缀。后缀的第一部分是表示稳定电压值允许误差范围的字母A、B、C、D、E分别表示允许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；后缀的第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2.整流二极管后缀为数字，表示设备最大反向峰值耐压值，单位为伏特。 3.晶闸管型号的后缀也是数字，通常标记最大反向峰值耐压值和最大反向关闭电压中较小值的电压值。 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 德国、荷兰等一些欧洲国家采用以下命名方法。 第一部分：O-表示半导体器件 第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管，CP-光电三极管，AZ-稳压管、RP-光电器件。 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分：A、B、C┄┄-表示相同型号设备的变形产品。 这里不介绍俄罗斯半导体器件型号命名法，因为使用少。 一、半导体二极管参数符号及其意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容， 锗检波二极管的总电容在二极管两端加规定偏压下 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容器 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。稳定电压的相对变化与测试电流下环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正直流电流(正测电流)。锗检波二极管在规定的正电压下VF下，通过极间电流；在规定的使用条件下，硅整流管和硅堆在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正直流电流；测量稳压二极管正电参数时给定的电流 IF（AV）---正平均电流 IFM（IM）---正峰值电流(正最大电流)。允许通过额定功率下二极管的最大正脉冲电流。发光二极管的极限电流。 IH---恒定电流，维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---峰值电流正向重复 IFSM---峰值电流(浪涌电流)正向不重复 Io---整流电流。在规定频率和电压条件下通过的工作电流 IF(ov)---正过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2-单结晶管中的基极调制电流 IEM---极峰电流发射 IEB发射极在双基极单结晶体管中的反向电流 IEB极电流在双基极单结晶管中发射 ICM---平均最大输出电流 IFMP---正脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正峰值电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向泄漏电流）。测量反向特性时，给定的反向电流；硅堆放在正弦半波电阻负载电路中，增加反向电压规定值时通过的电流；硅开关二极管两端增加反向工作电压VR时间通过的电流；反向电压下稳压二极管产生的漏电流；正弦半波最高反向工作电压下整流管的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---峰值电流反向重复 IRSM---峰值电流(反向浪涌电流)反向不重复 Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。在测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk---膝点电流稳压管 IOM---最大正（整流）电流。在规定条件下，可承受的正最大瞬时电流；在电阻负荷的正弦半波整流电路中，通过锗检波二极管连续最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。稳压二极管允许在最大耗散功率下通过的电流 iF---正总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管电流稳定 f---频率 n---电容比 Q---优值（品质因素） δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流的临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正峰值耗散功率 PFT---正向导通瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率。硅二极管结温不超过150度受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF（AV）---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VRM---反向峰值电压（最高测试电压） V（BR）---击穿电压 Vth---阀电压（门限电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压 二、双极型晶体管参数符号及其意义 Cc---集电极电容 Ccb---集电极与基极间电容 Cce---发射极接地输出电容 Ci---输入电容 Cib---共基极输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cn---中和电容（外电路参数） Co---输出电容 Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coe---共发射极输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Cre---共发射极反馈电容 Cic---集电结势垒电容 CL---负载电容（外电路参数） Cp---并联电容（外电路参数） BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路，CE结击穿电压 BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压 BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 D---占空比 fT---特征频率 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 hFE---共发射极静态电流放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ISB---二次击穿电流 IAGC---正向自动控制电流 Pc---集电极耗散功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pi---输入功率 Po---输出功率 Posc---振荡功率 Pn---噪声功率 Ptot---总耗散功率 ESB---二次击穿能量 rbb''---基区扩展电阻（基区本征电阻） rbb''Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 RE---外接发射极电阻（外电路参数） RB---外接基极电阻（外电路参数） Rc ---外接集电极电阻（外电路参数） RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数） RL---负载电阻（外电路参数） RG---信号源内阻 Rth---热阻 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Ts---结温 Tjm---最大允许结温 Tstg---贮存温度 td----延迟时间 tr---上升时间 ts---存贮时间 tf---下降时间 ton---开通时间 toff---关断时间 VCB---集电极-基极（直流）电压 VCE---集电极-发射极（直流）电压 VBE---基极发射极（直流）电压 VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 Vp---穿通电压。 VSB---二次击穿电压 VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数） Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数） VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数） VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降 VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VAGC---正向自动增益控制电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 V n---噪声电压 Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数；电容比 Q---优值（品质因素） δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF（AV）---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VRM---反向峰值电压（最高测试电压） V（BR）---击穿电压 Vth---阀电压（门限电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压 三、场效应管参数符号意义 Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流） IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流 IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流 Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数） gfs---正向跨导 Gp---功率增益 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导 gds---漏源电导 K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感（外电路参数） LD---漏极电感 Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻 Rg---栅极外接电阻（外电路参数） RL---负载电阻（外电路参数） R(th)jc---结壳热阻 R(th)ja---结环热阻 PD---漏极耗散功率 PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率 POUT---输出功率 PPK---脉冲功率峰值（外电路参数） to(on)---开通延迟时间 td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间 ton---开通时间 toff---关断时间 tf---下降时间 trr---反向恢复时间 Tj---结温 Tjm---最大允许结温 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tstg---贮成温度 VDS---漏源电压（直流） VGS---栅源电压（直流） VGSF--正向栅源电压（直流） VGSR---反向栅源电压（直流） VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数） VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数） Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数） VGS(th)---开启电压或阀电压 V（BR）DSS---漏源击穿电压 V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压（直流） Vsu---源衬底电压（直流） VDu---漏衬底电压（直流） VGu---栅衬底电压（直流） Zo---驱动源内阻 η---漏极效率（射频功率管） Vn---噪声电压 aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数 电路设计基础知识（5）——继电器

一、继电器的工作原理和特性 　　 继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路），通常应用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种“自动开关”。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。 1、电磁继电器的工作原理和特性 电磁式继电器一般由铁芯、线圈、衔铁、触点簧片等组成的。只要在线圈两端加上一定的电压，线圈中就会流过一定的电流，从而产生电磁效应，衔铁就会在电磁力吸引的作用下克服返回弹簧的拉力吸向铁芯，从而带动衔铁的动触点与静触点（常开触点）吸合。当线圈断电后，电磁的吸力也随之消失，衔铁就会在弹簧的反作用力返回原来的位置，使动触点与原来的静触点（常闭触点）吸合。这样吸合、释放，从而达到了在电路中的导通、切断的目的。对于继电器的“常开、常闭”触点，可以这样来区分：继电器线圈未通电时处于断开状态的静触点，称为“常开触点”；处于接通状态的静触点称为“常闭触点”。 2、热敏干簧继电器的工作原理和特性 热敏干簧继电器是一种利用热敏磁性材料检测和控制温度的新型热敏开关。它由感温磁环、恒磁环、干簧管、导热安装片、塑料衬底及其他一些附件组成。热敏干簧继电器不用线圈励磁，而由恒磁环产生的磁力驱动开关动作。恒磁环能否向干簧管提供磁力是由感温磁环的温控特性决定的。 3、固态继电器（SSR）的工作原理和特性 固态继电器是一种两个接线端为输入端，另两个接线端为输出端的四端器件，中间采用隔离器件实现输入输出的电隔离。 固态继电器按负载电源类型可分为交流型和直流型。按开关型式可分为常开型和常闭型。按隔离型式可分为混合型、变压器隔离型和光电隔离型，以光电隔离型为最多。. 二、继电器主要产品技术参数 1、额定工作电压 　　是指继电器正常工作时线圈所需要的电压。根据继电器的型号不同，可以是交流电压，也可以是直流电压。 2、直流电阻 　　是指继电器中线圈的直流电阻，可以通过万能表测量。 3、吸合电流 　　是指继电器能够产生吸合动作的最小电流。在正常使用时，给定的电流必须略大于吸合电流，这样继电器才能稳定地工作。而对于线圈所加的工作电压，一般不要超过额定工作电压的1.5倍，否则会产生较大的电流而把线圈烧毁。 4、释放电流 　是指继电器产生释放动作的最大电流。当继电器吸合状态的电流减小到一定程度时，继电器就会恢复到未通电的释放状态。这时的电流远远小于吸合电流。 5、触点切换电压和电流 　是指继电器允许加载的电压和电流。它决定了继电器能控制电压和电流的大小，使用时不能超过此值，否则很容易损坏继电器的触点。 三、继电器测试 1、测触点电阻 　　用万能表的电阻档，测量常闭触点与动点电阻，其阻值应为0；而常开触点与动点的阻值就为无穷大。由此可以区别出那个是常闭触点，那个是常开触点。 2、测线圈电阻 　　可用万能表R×10Ω档测量继电器线圈的阻值，从而判断该线圈是否存在着开路现象。 3、测量吸合电压和吸合电流 　　找来可调稳压电源和电流表，给继电器输入一组电压，且在供电回路中串入电流表进行监测。慢慢调高电源电压，听到继电器吸合声时，记下该吸合电压和吸合电流。为求准确，可以试多几次而求平均值。 4、测量释放电压和释放电流 　　也是像上述那样连接测试，当继电器发生吸合后，再逐渐降低供电电压，当听到继电器再次发生释放声音时，记下此时的电压和电流，亦可尝试多几次而取得平均的释放电压和释放电流。一般情况下，继电器的释放电压约在吸合电压的10~50％，如果释放电压太小（小于1/10的吸合电压），则不能正常使用了，这样会对电路的稳定性造成威胁，工作不可*。 四、继电器的电符号和触点形式 继电器线圈在电路中用一个长方框符号表示，如果继电器有两个线圈，就画两个并列的长方框。同时在长方框内或长方框旁标上继电器的文字符号“J”。继电器的触点有两种表示方法：一种是把它们直接画在长方框一侧，这种表示法较为直观。另一种是按照电路连接的需要，把各个触点分别画到各自的控制电路中，通常在同一继电器的触点与线圈旁分别标注上相同的文字符号，并将触点组编上号码，以示区别。继电器的触点有三种基本形式： 1.动合型（H型）线圈不通电时两触点是断开的，通电后，两个触点就闭合。以合字的拼音字头“H”表示。 2.动断型（D型）线圈不通电时两触点是闭合的，通电后两个触点就断开。用断字的拼音字头“D”表示。 3.转换型（Z型）这是触点组型。这种触点组共有三个触点，即中间是动触点，上下各一个静触点。线圈不通电时，动触点和其中一个静触点断开和另一个闭合，线圈通电后，动触点就移动，使原来断开的成闭合，原来闭合的成断开状态，达到转换的目的。这样的触点组称为转换触点。用“转”字的拼音字头“z”表示。 五、继电器的选用 1.先了解必要的条件：①控制电路的电源电压，能提供的最大电流；②被控制电路中的电压和电流；③被控电路需要几组、什么形式的触点。选用继电器时，一般控制电路的电源电压可作为选用的依据。控制电路应能给继电器提供足够的工作电流，否则继电器吸合是不稳定的。 2.查阅有关资料确定使用条件后，可查找相关资料，找出需要的继电器的型号和规格号。若手头已有继电器，可依据资料核对是否可以利用。最后考虑尺寸是否合适。 3.注意器具的容积。若是用于一般用电器，除考虑机箱容积外，小型继电器主要考虑电路板安装布局。对于小型电器，如玩具、遥控装置则应选用超小型继电器产品。