采用先进的功率沟槽技术(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。经过优化，该工艺可以最大限度地降低导通电阻，并采用优良的软二极管，可以保持优异的开关性能。
NTMFS4C05NT1G N-CH 30V 11.9A MOS管 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET(金属氧化物) 漏源电压（Vdss）：30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.9A（Ta） 驱动电压：4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导电阻：3.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)：2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)：14 nC @ 4.5 V Vgs：±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：1972 pF @ 15 V FET 功能：- 功率耗散：770mW（Ta），33W（Tc） 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型：表面安装类型 供应商设备包装：5-DFN（5x6）（8-SOFL） 包装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
特征 符合AEC-Q并具备101标准PPAP功能 小包装设计紧凑 超低RDS(ON)，减少导通损失 优化栅极电荷，减少开关损耗 高功率密度 导热性能优异 效率更高 无卤，无铅，符合RoHS指令
应用 ORing 电机驱动器 DC-DC转换器 电源负载开关 电池管理 高端计算
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