转载--记得诚2020-07-19 16:03
我们打开一个MOS管的SPEC，今天我们来谈谈热阻、电容和开关时间。
，英文Thermal resistance，是指物体两端温差与热源功率之间的比值。℃/W或者是K/W。
半导体散热有三种方式，从顶部到空气，从底部到电路板，从引脚到电路板。
结合空气环境的热阻ThetaJA表示，
其中芯片结温，如下图所示，芯片图所示。
其他一些热阻参数如下：
ThetaJC=(Tj-Tc)/P，一般来说，封装外壳的热阻是封装顶部的热阻，所以一般来说，ThetaJC=ThetaJT
ThetaJB=(Tj-Tb)/P，结到PCB的热阻。
ThetaJA参数综合了Die的大小, 包装方法、填充材料、包装材料、引脚设计、外部散热器和外部电路板的属性ThetaJA和用的器件以及PCB设计有关。ThetaJC和ThetaJB这两个参数表示芯片和包装本身，不会随着芯片包装外部环境的变化而变化。
热阻与以下参数密切相关。
：功率损失是指NMOS功耗不得超过1500mW，否则可能会损坏MOS管。
：结温、结面温度是指NMOS最高结温不得超过150℃。
：如下的833℃/W指的是NMOS与环境温度相比，结面的热阻为833℃/W，如果设备消耗的功率是1W，那温升就是833℃。
当NMOS最大功率150mW，那NMOS空气温度为150/10000*833≈125℃，芯片结温为125 25=150℃。
再看一下MOS管的电容。
，指的是DS短接，用交流信号测量GS之间的电容，Ciss由GS电容和GD电容并联，即Ciss=Cgs Cgd，当输入电容充电到阈值电压时，MOS打开管道，放电到一定值，MOS管道关闭了，所以Ciss和MOS管道的开关时间有很大关系。
，指的是GS短接，用交流信号测量DS之间的电容，Coss由GD电容和DS电容并联，即Coss=Cgd Cds
，指S接地，GD电容器之间，即Crss=Cgd
MOS管关闭下，Cgs要比Cgd大得多，Cgd=1.7pF，那Cgs=7.1-1.7=5.4pF。
从SPEC图片显示了三个电容器的大小和DS电压关系很大，尤其是Coss和Crss
有的一些MOS管SPEC还有以下Qg、Qgs、Ggd，是指充满这些电容所需的电荷，所需的充电电荷越少，MOS管开关速度越快。
MOS管关闭下，Cgs要比Cgd大的多，但发现了Qgd比Qgs大得多，受米勒电容的影响。
结合图片理解MOS管道开关时间。
最左边的绿色部分，ID和UD几乎不变，因为这个时候几乎不变，UGS没有上升到阈值电压，MOS关闭管道，把UGS这段时间从0增加到阈值电压。
然后是紫色部分，当UGS上升到阈值电压后，随着UGS继续增长，ID也逐渐增加，UD直到ID到最大值，UD到最小值，这段时间叫做。
同理，MOS当管道关闭时，UGS阈值电压没有下降，ID和UD都是不变的，把UGS下降到阈值电压前这段时间叫。
随着UGS逐渐减小，ID减小到最小值，UD增加到最大值，这段时间叫做。
那为什么要明白呢？MOS管道的电容和开关时间呢？MOS对开关速度有要求的电路使用管道可能是因为MOS管道开关时间过慢，导致通信失败。
今天的内容到此结束，希望对大家有所帮助，下一期见。
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