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ASEMI场效应管12N65参数,12N65规格书,12N65特征

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型号:12N65

漏源电压(VDSS):650V

连续漏极电流(ID):12A

网极阈值电压(VGS(TH)):±30V

功耗(PD):140W

漏源漏电流(IDSS):10uA

网极阈值电压(VGS(TH)):4V

静态泄漏导电阻(RDS(ON)):0.68Ω

输出电容(COSS):150pF

最大脉冲正电流(ISM):48A

漏源二极管正电压(VSD):1.4V

反向恢复时间(trr):380nS

封装:TO-220AB

总长度:30.47mm

本体长度:9.4mm

引脚长度:14.27mm

宽度:10.28mm

高度:4.7mm

脚间距:2.54mm

低固有电容

开关特性极佳

扩大安全工作区

无与伦比的栅极电荷:Qg= 44nC (Typ.)

RDS(on):0.68 ? (Max) @VG=10V

100%雪崩测试

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