如图，MOS管内有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。由于寄生电容的存在，给栅极电压的过程是给电容充电的过程。
其中：
输入电容Ciss=Cgs Cgd，
输出电容Coss=Cgd Cds，
反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。
然而，这三个等效电容器构成串并联组合关系。它们不是独立的，而是相互影响的。关键电容器之一是米勒电容器Cgd。这种电容器不是恒定的，它会随着栅极和漏极间电压的变化而迅速变化，同时也会影响栅极和源极电容器的充电。
米勒效应是指MOS管g、d的极间电容Crss在开关动作期间引起的瞬态效应。
可视为电容器的负反馈。驱动前，Crss当驱动波形上升到阈值电压时，上部是高压，MOS管导通，d通过极电压下降，通过Crss降低g脚驱动电压，如果驱动功率不足，沿阈值电压附近的驱动波形上升，如下图所示。
有时甚至会有一个下降的趋势平台，这个平台增加了MOS管的导通时间，造成了我们通常所说的导通损耗。
①t0—t1阶段
在此过程中，驱动电流ig为Cgs充电，Vgs上升，Vds和Id保持不变t1时刻，Vgs上升到阈值打开电压Vgs(th)。在t1时刻以前，MOS在截止区。
②t1—t2阶段
t1时刻，MOS管道将开始导通，这标志着Id开始上升。在此期间，驱动电流仍然是为了Cgs充电，Id逐渐上升，在上升的过程中Vds会因为下降而略有下降。di/dt在杂散电感上形成一些压降。
从t1时刻开始，MOS进入饱和区。饱和有转移特征:Id=Vgs*Gm。其中Gm只要是跨导Id不变Vgs就不变。Id上升到最大值后，此时处于饱和区，因此Vgs它将保持不变。
③t2—t3阶段
从t从2点开始，进入米勒平台时，米勒平台就是Vgs一个平台在一段时间内几乎保持不动。此时泄漏电流Id最大。且Vgs驱动电流转移Cgd充电，Vgs米勒平台出现了，Vgs然后保持电压不变Vds它开始下降。
④t3~t4阶段
当米勒电容Cgd充满电时，Vgs直到电压继续上升MOS完全导管。
以上是MOS管道开启的四个过程。
所以在米勒平台上，是的Cgd此时充电过程Vgs变化很小，当Cgd和Cgs在同一水平，Vgs开始继续上升。
从以上分析可以看出，米勒平台有害，导致开启延迟和严重损失。MOS管道的制造工艺必然会产生Cgd，也就是说，米勒电容器肯定会存在，所以米勒效应是不可避免的。
目前减小 MOS 管米勒效应措施如下：
1. 为了增加驱动电流，快速充电，增加驱动电压或降低驱动电阻。但寄生电感可能会引起冲击；
2.ZVS 在 Vds 为 0 大功率应用时打开沟道更多。