MOS管被ESD击穿？如何改进？
你可能并不陌生MOS管，由于MOS管道无防静电、防浪涌，ESD静电和浪涌无处不在，存在于任何电子产品中，都是不可预防的。
然而MOS另一个管道ESD静电极具有敏感装置，其自身的输入电阻非常高。格栅-源极间电容非常小，容易被外部电磁场或静电感应带电；由于静电强，容易引起静电击穿。
该如何解决MOS管被ESD改进击穿的方法？
MOS管道本身的输入电阻很高，栅极间电容很小，容易被外部电磁场或静电感应带电，少量电荷可以在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。
虽然MOS管道输入端有抗静电保护措施，但仍需小心。最好用金属容器或导电材料包装，不要放在容易产生静电高压的化学材料或化纤织物中。
在装配和调试过程中，工具、仪器和工作台应接地良好。为防止操作人员静电干扰造成的损坏，如果不适合穿尼龙、化纤衣服，最好在接触集成块前将手或工具连接到地面。在矫直、弯曲或人工焊接设备时，所使用的设备必须接地良好。
MOS管道电路输入端的保护二极管时电流容量一般为1mA，过大的瞬态输入电流(超过10mA)保护电阻应串联输入。因此，在应用过程中，可以选择内部有保护电阻的电阻MOS管应。
此外，由于保护电路吸收的瞬时能量有限，过大的瞬时信号和过高的静电电压会使保护电路失效。因此，焊接过程中，电烙铁必须可靠接地，以防止漏电击穿设备的输入端。一般情况下，电烙铁的余热可以在断电后焊接，接地管脚可以先焊接。
MOS管道是电压驱动元件，对电压非常敏感，悬挂G容易受到外部干扰MOS管导通、外部干扰信号对G-S结电容充电，这个小电荷可以储存很长时间。
G悬空在试验中非常危险，很多都是因为这样爆管，G下拉电阻对地，旁路干扰信号不会直通，一般可以10~20K。
这种电阻称为栅极电阻： 作用1 偏置电压应管提供偏置电压； 作用2 起到泻放电阻的作用(保护栅极G~源极S)。
第一个功能很容易理解，这里解释第二个功能的原理：保护栅极G~源极S：场效应管的G-S极间电阻值很大，所以只要有少量的静电，他就可以G-S极间等效电容器的两端产生高电压。如果不及时排出这些少量静电泻，两端的高压可能会导致场效应管误动，甚至有可能击穿它G-S极；此时，栅极与源极之间的电阻可以释放上述静电泻，从而起到保护场效应管的作用。