每一句话：努力和收获，都是自己的，与他人无关。最大的成就感，就是一直朝着自己想要的方向前进。
1.在非空双向循环链表中q指的链接点前插入p指链接点的过程是依次执行句子p->rlink=q；p->llink=q->llink；q->llink=p； 。(北京航空航天大学 2007年）
A．q->rlink->llink=p；
B．q->llink->rlink=p；
C．p->rlink->llink=p；
D．p->llink->rlink=p；
答案: D
解析: 执行上述三个步骤后，只需在原线性表前结点即可rlink指向p，即p->llink-> rlink=p。
2.设置主存的分配如图3-1所示。当有一个过程需要申请45KB在使用存储区域时，如果使用存储区域，第一个地址是 。(北京理工大学 2004年）
A．100K B．190K C．330K D．410K 
答案: C
如图所示，从低地址开始的4个空闲分区分别为80个KB、90KB、60KB、102KB。满足过程申请的最小空闲分区大小为60KB，其首地址为330K。
3.可识别交换机 地址 2018年）
A. 域名
B. P地址
C. MAC地址
D. UDP端口号
答案: C
解析: 二层交换机在数据链路层工作，可识别MAC地址。三层交换机可在网络层工作，可识别MAC地址和IP地址。 拓展： 四层交换机：它不仅决定传输MAC地址(第二层网桥)或源/目标IP根据地址(第三层路由)TCP/UDP(第四层) 应用端口号。第四层交换功能就像虚拟的IP，指向物理服务器。它传输的业务服从各种协议，包括HTTP、FTP、NFS、Telnet或其他协议。在物理服务器的基础上，这些业务需要复杂的负载平衡算法。
4.需要周期刷新的存储器是 。(中国科学院大学 2018）
A．SRAM
B．DRAM
C．ROM
D双稳态存储器
答案：B
解析： 本察计算机内存设备的基本知识。
A选项——SRAM：是英文Static RAM缩写，它使用晶体管来存储数据，不需要刷新电路来保存内部存储的数据。DRAM相比，SRAM速度快，但集成度低(即在同一区域SRAM的容量要比DRAM的小)。
B选项——DRAM(动态随机存储器):是计算机系统中最常见的内部存储器。DRAM为了保持数据，使用电容器存储必须定期刷新(refresh)如果存储单元不刷新一次，存储的信息就会丢失。
C选项——ROM：分为EPROM和EEPROM两种
EPROM(可擦除可编程ROM)：芯片可以重复擦除和写入数据。EPROM芯片有一个非常明显的特点。前陶瓷包装上有一个玻璃窗。透过窗口，可以看到内部集成电路，紫外线可以通过孔照射内部芯片擦除数据。EPROM用专用编程器写入内部数据，在芯片中写入内容时必须添加一定的编程电压(VPP=12～24V，根据芯片型号的不同而定)。
EEPROM(电可擦可编程只读存储器):是一种数据不丢失的存储芯片。EEPROM现有信息可以在计算机或特殊设备上擦除并重新编程。它通常用于接口卡中存储硬件设置数据，以防止软件非法复制。
D选项-双稳态触发器：静态存储器依靠双稳态触发器的两个稳定状态来保存信息。每个双稳态电路存储一个二进制代码0或1，一个存储芯片包含许多这样的双稳态电路。双稳态电路是一种有源设备，需要电源才能工作，只要电源正常，就可以长期稳定地保存信息，因此称为静态存储器。如果断电，信息将丢失，属于挥发性存储器或易失性。