DRAM和SRAM简介
两者都属于随机存储器RAM，可随机读写 DRAM——使用栅极电容存储信息 SRAM——使用双稳态触发器存储信息
栅极电容
- 只有一条数据线
- 读出1： MOS管道连接，电容放电(破坏性读取，需要给电容充电)，数据线产生电流 读出0：MOS管道打开后，数据线上没有电流
- 读写速度快
- 制造成本低，集成度高，功耗低(电路简单)
- 需要刷新(电容器中的电荷只能维持2ms，即使不断电，2ms之后信息也会丢失)
双稳态触发器：A高B低表示1；A低B高表示0
- 有两条数据线
- 读取数据，保持触发器状态稳定，无需重写是非破坏性读取
- 读写速度快
- 制造成本高，集成度低，功耗高(电路复杂)
- 触发器的状态触发器的状态就不会改变
DRAM和SRAM的对比
DRAM的刷新
2ms刷新一次 每次以行为单位刷新一行存储单元 存储器独立完成刷新CPU控制
注意点：
ROM只能随机取，不能存储
Flash(闪存)存储器集合ROM和RAM的优点
DRAM地址线复用技术： 分两次发送行和列地址，可以减半地址线和地址引脚
附图
：只能读不能写 ：写一次就不能改了 ：可重写多次（UVEPROM：紫外线照射8-20分钟，可擦除所有信息；EEROM：电擦除的方式，擦除特定的字） ：可多次快速擦除重写，如U盘，SD卡(每个存储元只需单个存储元)MOS管，位密度比RAM高；写之前需要擦掉，所以写速度比读速慢) ：由控制单元 存储单元（Flash芯片)可以多次快速擦除和重写