作者：快捷芯（功率半导体创新品牌）
MOS管理参数多，眼花缭乱，但作为销售人员，采购必须了解参数不多，努力明确。下表显示了一些重要的内容MOS管参数，但必须知道的是红色部分。
| N、P、N N、P P、N P |
N管、P双N管，双P管，N P管 |
代表不同的沟渠 |
N-Channel，这个标题已经被标记为N管 |
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| 封装 |
不同的MOS管芯片包装形式不同 |
TOLL-8L ，这是一种能实现大电流、低内阻的新型内阻、储能BMS、理想的电机驱动MOS |
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| 数量 |
一般订单量是这个数量的整数倍 |
2000PCS，也就是小包装的数量 |
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| 丝印 |
标识产品型号、晶圆型号、生产日期 例如YWWXXX，Y为年，WW为周，XXX晶圆后三位 |
见Marking Information |
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| Gate、Drain、Source |
栅极、源极、漏极 |
格栅级管脚接管理IC，源极、漏极 |
见2.Pin Description |
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| Drain-source voltage |
漏-源电压、耐压值 |
在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。 |
60V，一般说的多少伏的MOS管指的就是这个参数 |
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| Conditions drain current |
漏极直流电流、漏电流、最大漏源电流、连续漏电流 |
正常工作时，漏极与源极间所允许通过的最大电流，一般是在表面温度25℃测试所得，这个参数会随结温度的上升而有所减小。MOS管的工作电流不应超过ID，实际开关电流通常小于ID 额定值@TC=25℃的一半，通常在1/3～1/4。 |
400A，25℃ 267A，100℃ 可以见过电流能力很强大 |
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| Pulsed drain current |
最大脉冲漏电流 |
参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。 |
1200A |
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| Drain-source on-resistance |
漏源通态电阻、导通电阻 |
在特定的 VGS (通常为 10V)、结温及漏极电流的前提下，MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗，它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数通常会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）。 故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算。 |
10V时，典型值为0.65mΩ，这种超低内阻产品属于业界顶极水平，与英飞凌可以一较高下 |
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| Gate-source voltage |
栅-源电压、门级开启电压、最大栅源电压 |
栅源两极间可以施加的最大电压，一般为：-20V~+20V。设定该电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。 |
±20V |
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| Gate threshold voltage |
栅源阈值电压、开启电压(阀值电压)。 |
当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。该参数一般会随结温度的上升而有所降低，即当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。 |
2-4V |
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| EAS |
Repetitive Avalanche Energy |
单脉冲雪崩击穿能量 |
如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。 |
2800 mJ |
| IDSS |
Zero gate voltage drain current |
栅-源短路的漏极电流 饱和漏源电流 |
栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流，一般在微安级。 |
1 μA |
| IGSS |
Gate-body leakage current |
漏-源短路的栅极电流 栅源驱动电流或反向电流 |
特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流，由于MOS输入阻抗很大，IGSS一般在纳安级。 |
±100 nA |
| VSD |
Diode forward voltage |
漏源间体内反并联二极管正向压降 |
1.3 V |
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| V(BR)DSS |
Drain-source breakdown voltage |
漏源击穿电压 |
在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。 |
60V |
| Rth(j-a) |
Thermal resistance from junction to ambient |
结到环境的热阻、结环热阻 |
40 ℃/W |
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| Rth(j-c) |
Thermal resistance from junction to case |
结到管壳的热阻、结壳热阻 |
0.25℃/W |
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| Rg |
Gate resistance |
栅极电阻 |
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| gfs |
Forward transconductance |
跨导 |
是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。 |
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| Total Gate Charge |
栅极总电荷量 |
单位nC，纳库。达到导通状态时所需的总电荷量。Qg越小导通时间越短，开关损耗越小。 |
167nC，C是库伦，nC是纳库 |
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| Input capacitance |
输入电容、栅-源电容、门级电容 |
将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。 |
11574pF |
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| Coss |
Output capacitance |
漏-源电容、输出电容 |
1836pF |
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| Crss |
Reverse transfer capacitance |
反向传输电容 |
196pF |
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| td(on) |
Turn-on delay time |
导通延迟时间 |
导通延迟时间。从有输入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。 |
44nS |
| td(off) |
Turn-off delay time |
关断延迟时间 |
断延迟时间。输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间。 |
154nS |
| tr |
Rise time |
上升时间 |
上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间。 |
132nS |
| tf |
Fall time |
下降时间 |
降时间。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间。 |
137nS |
| Power dissipation |
耗散功率 |
最大耗散功率.是指场效应管机能不变坏时所容许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量.此参数通常会随结温度的上升而有所减额. |
500W |
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| Tj |
operating junction temperature range |
最大工作结温 |
通常为150℃或175℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。 |
175 ℃ |
| Tstg |
storage temperature range |
存储温度范围 |
-55-175 ℃ |