测定线性电阻和非线性电阻伏安特性曲线的实验报告(共8篇)
数据处理及实验分析 1.测绘电阻伏安特性曲线被测电阻标称值2000Ω 正向电阻伏安特曲线 正电阻值R=1000/k=Ω 反向电阻伏安特曲线 反向电阻值R=1000/k=Ω2.测绘伏安特性曲线二极管 1/2 伏安特性曲线二极管 3.画小灯泡伏安特曲线 电压表量程：20V分度值:电流表量程:200mA分度值： 灯丝伏安特性曲线 2/2 线性电阻和非线性电阻的伏安特性曲线 1.测绘电阻的伏安特性曲线 2.学会用图线表示实验结果 3.了解晶体二极管的单向导电特性 二、实验仪器：毫安表、微安表、伏特计各一块，金属膜100K锗二极管，电阻， 电位器位器，一个限流电阻，一个直流电源。 3、实验原理：1。当一个元件的两端加上电压，元件中有电流通过时，电压与电流之比称为元件的电阻。 3、实验原理：1。当一个元件的两端加上电压，元件中的电流通过时，电压与电流之比称为元件的电阻。2.如果元件两端的电压与通过其电流成比例，则伏安特性曲线为直线，称为线性元件。如果元件两端的电压与其电流不成比例，伏安特性曲线不再是直线，而是曲线，称为非线性元件。 一般金属导体的电阻为线性电阻，与外加电压的大小和方向无关，其伏安特性为直线。从图中可以看出，直线通过一、三象限。它表明，当更换电阻两端电压的极性时，电流也会发生变化，电阻总是一定值，相当于直线斜率的倒数R?V。I 常用的晶体二极管是非线性电阻，其电阻值不仅与外加电压的大小有关，还与方向有关。 3.晶体二极管的结构和导电性 晶体二极管又称半导体二极管。导体与绝缘体之间介于半导体的导电性。若在纯半导体中适当掺入极微量杂质，，半导体的导电性将增加数百万倍。加入半导体的杂质可分为两种类型：一种杂质加入半导体后，半导体产生许多负电子，称为电子半导体；另一种杂质加入半导体产生许多缺乏电子的空穴，称为空穴半导体。 晶体二极管由具有不同导电性的n型半导体和p型半导体组成p-结构构成。它有两个正负电极，正极由P型半导体引出，负极由n 如图所示，引出型半导体。p-n该结具有单向导电的特点，通常用图所示的符号表示。 关于p-n可以解释结的形成和导电性。 如图所示，由于p区空穴浓度大于n区，空穴由p区扩散到n区；同样，由于n区电子浓度大于p区，电子从n区扩散到p区。在交界处随着扩散的进行，p区空穴减少，出现一层带负电的粒子区；n一层带正电的粒子区一层带正电的粒子区。结果，在型和n型半导体交界面的两侧附近形成了带正负电的薄层区，称为p-n结。带电薄层中的正负电荷产生电场，其方向与载流子扩散运动的方向相反，使载流子的扩散受到内电场的阻力，因此带电薄层也称为阻挡层。当扩散作用等于内电场时，p当二极管中没有电流时，区域的空穴和n区的电子不再减少，阻挡层不再增加。如图所示，当p-n加上正电压，外电场与内电场相反，从而削弱了内电场，使阻挡层变薄。这样，载流子就可以顺利通过p-n结，形成较大的电流。所以，p-n正向导电时电阻很小。如图所示，当p-n结合反向电压，外电场与内电场方向相同，从而增强内电场的作用，使阻挡层变厚。这样，只有少数载流子能通过p-n形成小的反向电流。所以p-n结的反向电阻很大。图p-n结的形成和单向导电特性 四、实验步骤 1.测绘金属膜电阻的伏安特性曲线 使用电阻值约为200欧姆的电阻，在其上加电压，测量变化时的电流值。 内电场方向 扩散运动方向 内电场方向外电场方向 正电流(大)内电场方向外电场方向 反向电流(很小) 根据误差理论设计电路，用万用表粗测电阻、电流表、电压表适合测量档位的电阻值。 将电压调整为零，改变电阻上的电压方向，将电压调整为0-V，测出 电压变化时的电流值。 以电压为横坐标，以电流为纵坐标，绘制金属膜电阻的伏安特性曲线。 2、测绘晶体二极管的伏安特性曲线 测量前，先记录二极管的型号和主要参数，再判断二极管的正负级。 根据图所示的电路连接，可以测量晶体二级管的正特性曲线。图中R为保护晶体二次管的限流电阻，电压表的限量约为1伏。经教师 晶体二极管正向伏安特性电路图 检查线路后，打开电源，缓慢增加电压，如取、??读取相应的电流值(在电流变化较大的地方，电压间隔应较小)。最后断开电源。 根据图纸连接电路，以测量反向特性曲线。用微安表代替电流表，电压表比1伏大，连接电源