在电源技术中onsemi安森美在太阳能、互联照明、车载充电器、新能源汽车、便携式医疗设备等领域推出了N通道屏蔽门MOSFET管。 1.屏蔽栅MOSFET技术 2.VGS = 10 V，ID = 4.6 A时，最大RDS(on) = 51 mΩ 3.VGS = 6 V，ID = 3.9 A时，最大RDS(on) = 70 mΩ 4.先进的包装与硅技术完美融合，实现了低成本RDS(on)和高效率 5.MSL耐用封装设计 6.100%经过UIL测试 7.符合RoHS标准
在电源技术中onsemi安森美在太阳能、互联照明、车载充电器、新能源汽车、便携式医疗设备等领域推出了N通道屏蔽门MOSFET管。 1.屏蔽栅MOSFET技术 2.VGS = 10 V，ID = 4.6 A时，最大RDS(on) = 51 mΩ 3.VGS = 6 V，ID = 3.9 A时，最大RDS(on) = 70 mΩ 4.先进的包装与硅技术完美融合，实现了低成本RDS(on)和高效率 5.MSL耐用封装设计 6.100%经过UIL测试 7.符合RoHS标准