晶振并联一个1MΩ电阻？晶振低温不起振如何解决？" height="355" src="https://web.ruidan.com/images/aritcle/20220728/9561f5d8c61d045d8928e9c10abcc9ec.png" width="456">
(无源晶振并联1MΩ电阻电路图)
在某些方案中，在没有1的情况下，程序运行正常MΩ在电阻下，程序运行滞后，无法运行。
原因分析：
两个外部电容器可以微调晶体振动产生的时钟频率。MΩ电阻可以帮助。因此，当程序启动缓慢或不运行时，建议并联晶振1MΩ的电阻。
这个1MΩ电阻是使原本为逻辑反相器的设备在线工作， 获得增益， 饱和区无增益， 在没有增益的情况下。简而言之，并联1M电阻在电路中增加（-R），即提高增益，缩短晶振振动时间，达到晶振振动更容易的目的。
换句话说，假设电路中没有扰动信号，晶体振动就不能振动。事实上，许多反向门电路可以在没有这种电阻的情况下振动，因为一般电路有扰动信号，但有些反向门电路不能振动，因为扰动信号强度不够。
需要指出的是，振荡电路的阻抗在低温环境下也会发生变化。当阻抗增加到一定程度时，晶体振动会发生振动困难或现象。此时，我们还需要并联1晶振MΩ为了提高振荡电路的稳定性，建议将晶振串联100Ω电阻，以降低晶体振动的频率偏移。
注：并联电阻不宜过小，串联电阻不宜过大。否则，温度较低时不易振动。