一、栅极电阻 
H桥的mos管栅极电阻 1.减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般0.1欧姆或更低)。 2.若不加R39电阻，高压下会因为mos管开关速度过快，导致周围部件被击穿。R39电阻过大会导致电阻过大MOS管道的开关速变慢，Rds从无穷大到Rds（on）高压下需要一段时间Rds它会消耗大量的功率，导致mos管道发热异常。 如果没有栅极电阻，或者电阻值太小 MOS导通速度过快，高压下容易击穿周围设备。 网极电阻值过大 MOS管导通时，Rds将从无限大将到来Rds(on)(一般0.1欧姆级或更低)。当栅极电阻过大时，MOS管导速度过慢，即Rds减少需要一段时间。Rds它会消耗大量的功率，导致大量的功率MOS热管。过于频繁的导热会使热量太晚，MOS身高温度快。 二、栅源电阻 1.作为排放电阻排放G-S防止少量静电mos管道产生误动作，甚至击穿mos管道(因为只要有少量静电，就会产生mos管的G-S极间等效电容产生高电压)，起到保护作用mos管的作用。 保护栅极G-源极S：场效应管的G-S极间电阻值很大，所以只要有少量的静电，他就可以G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极；此时，栅极与源极之间的电阻可以释放上述静电泻，从而起到保护场效应管的作用。 2.为mos管道提供偏置电压，即不悬挂栅极电压，导致mos管道误导。