什么是Corner？
- 1.什么是Corner？
- 2.Corner wafer的意义
- 3.Corner Split Table策略
- 4.确认Corner结果
- 5.备注
1.什么是Corner？
芯片制造是一个工艺偏差（包括掺杂浓度、扩散深度、蚀刻程度等）的物理过程，导致不同批次、同一批次、不同芯片之间的情况不同。在一片wafer在上面，不可能每个点的载流子的平均漂移速度相同。随着电压和温度的不同，它们的特性也会不同。PVT（Process，Voltage，Temperature），而Process又分为不同corner： TT：Typical N Typical P FF：Fast N Fast P SS：Slow N Slow P FS：Fast N Slow P SF：Slow N Fast P 
第一个字母代表NMOS，第二个字母代表PMOS，都是针对不同浓度的N型和P型。NMOS和PMOS在工艺上是独立的，彼此之间不会有影响，但对于电路，NMOS和PMOS同时工作，会出现NMOS快的同时PMOS也快或慢，所以会出现FF、SS、FS、SF四种情况。通过Process注入调整，模拟器件速度快，根据偏差大小设置不同等级FF和SS。正常情况下，大部分是TT，而以上5种corner在 /-3sigma可以覆盖约99.这种随机性的发生在73%范围内符合正态分布。
2.Corner wafer的意义
工程片流片时，FAB会pirun调整关键层次inline variation，有的还会下backup wafer保证发货wafer器件on target，即在TT corner附近。如果只是为了些样品，只做工程片流片，可以不验证corner，但是，必须考虑后续的量产准备corner的。由于工艺在生产过程中存在偏差，corner是对生产线正常波动的预测，FAB也会批量生产芯片corner验证有要求。因此，在设计阶段需要满足corner，在各种corner和极限温度条件下对电路进行仿真，使其在各种corner能够正常工作，使最终生产的芯片良率高。
3.Corner Split Table策略
一般来说，产品corner做到spec上，正常情况下spec有6个sigma，如FF2（或2FF）向快的方向偏两个Sigma，SS3（或3SS）向慢的方向偏3个Sigma。Sigma主要表征了Vt波动大sigma大，这里三个sigma在工艺器件中spec在线，可以允许超过一点，因为在线波动不能只是做到spec上。 以55nm以逻辑工艺工程片为例，起草了corner split table如图：
1.#1 & #2 两片pilot wafer，一片盲封，一片测量CP 2.#3 & #4 两片hold在Contact，为后道改版预留工程wafer，可以节省ECO流片时间 3.#5～#12 八片hold在Poly，等pilot结果取决于是否需要调整设备速度并验证corner 4.除了有足够的芯片进行测试验证外，Metal Fix，根据项目需要，尽可能多地预留wafer作为量产出货
4.确认Corner结果
首先，大部分应该落在四个方面corner决定的window在范围内，如果有很大的偏差，可能是工艺shift。如果各个corner良率不影响预期，说明工艺窗口充足。若个别条件良率较低，则需调整工艺窗口。 Corner wafer目的是验证设计余量，检查良率是否有损失。一般来说，超过这个corner芯片报废在约束性能范围内。Corner对标的验证是WAT测试结果，一般由FAB主导，但是corner wafer的费用是由设计公司承担的。一般工艺成熟稳定，同一块wafer上芯片，同批次wafer甚至不同批次wafer参数非常接近，偏差范围相对较小。
工艺角（Process Corner）PVT(Precess Voltage Temperature)工艺误差 不同于双极晶体管，在不同的晶片和批次之间，MOSFETs参数变化很大。为了在一定程度上减少电路设计任务的困难，工艺工程师应确保设备的性能在一定范围内。一般来说，他们严格控制预期的参数变化，采取措施报废超出该性能范围的芯片。
5.备注
experience 1、MOS管道的速度分别是指阈值电压的高度，快速对应阈值低，慢速对应阈值高。GBW=GM/CC ，在相同条件下，vth越低，gm因此，值越高GBW速度越大，速度越快。具体分析 2.电阻的速度。fast对应方块电阻小，slow对应的是方块电阻大。 3.电容器的速度。fast对应的是最小，slow对应的是容值最大。