上一期有个小坑，关于metal-8 什么是厚度单位？ um(微米）
顺便说一句，让我们列出以下常见单位 埃 其他单位与埃的转换关系为基准。
例如，1/10 nm 为1埃.
以下表也举例说45nm 的Mx 和My 金属的最小宽度和间距，以及金属的厚度，对这些常见工艺节点的金属物理尺寸有一个印象和概念。
上一期还有一个小坑，是通过搜索表得到的RHO，如何进一步计算电阻？
可参考以下公式计算：
1）R = Rho * Length/Area
2）Area = Width * Thickness
3）W(S) = W(D) - 2* Etch_Value
4）R_nom = Rho * Length / [W(S) * Thickness]
5）R = R_nom (1 Tc1(T-Tnom) Tc2*（T-Tnom)^2]
6）W(S) = Silicon Width
7）W(D) = Draw Width
8）Etch_Value = Foundry provide tech file then check this from it
9）R_nom = 常温下的电阻值
10）Tnom = 常温，由tech file 定义
11）T = GSR 定义的温度
12） R = 在T 温度下的电阻值
13） Tc1， Tc2 =从tech 来的 电阻系数，与温度有关的两个量；
那我们来计算一下，比一比一redhawk 计算的电阻值和自己从Tech file 计算出来的电阻值
这是redhawk中，任选一个Metal-6， 其 width 为20.002um， length 为4023.01um， 而电阻为3.05ohm
计算电阻值(手撕)Tech file），这是metal-6 的定义：
按上述公式5计算：
看起来，R_from_redhawk = 3.05ohm, but R_from_Tech_file = 2.468391 ohm
这里就有个值得探讨的问题，metal 的电阻correlation问题，看来这个lab的tech file VS Redhawk 一致性很差；在实际项目中，小伙伴可以比较这方面，非常有趣.
当工艺先进时，这里有一个Etch 搜索表是计算的Silicon 金属宽度和layout变量需要考虑金属宽度差异，电阻会更准确。
下一期，继续谈，谢谢您的阅读和欢迎讨论。
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