1、简介 NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 指N型金属-氧化物-半导体，MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS在实际项目中，我们基本上使用增强型mos管道分为N沟和P沟。我们常用的是NMOS，由于其导电阻小，易于制造。 
2、 导通特性 NMOS的特性，Vgs如果大于一定值，则导通，适用于源极接地（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs如果小于一定值，就会导通，适合源极接VCC情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS它可以很容易地用作高端驱动，但由于导通电阻大、价格昂贵、替代品种少，通常用于高端驱动NMOS。
3、MOS管导通损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后有导通电阻，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量称为导通损耗。选择导通电阻小的MOS管道会减少导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，也有几毫欧。
4、MOS管开关损失 瞬时电压和电流的乘积很大，造成了很大的损失。缩短开关时间可以减少每次导通时的损失；减少开关频率，减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以减少开关损失。
5、NMOS管原理 MOS当管栅极上方时，由于电场的作用，N型半导体的源极和泄漏极的负电子被吸引并涌入栅极。然而，由于氧化膜的阻塞，电子聚集在两个N通道之间的P型半导体中（见下图），从而形成电流，导致源极和泄漏极之间的连接。我们也可以想象，两个N型半导体之间有一条沟。网格极电压的建立相当于为它们之间建造一座桥。桥的大小取决于网格压力的大小。 6、PMOS管原理与NMOS管原理类似 参考文章1https://zhuanlan.zhihu.com/p/407676441 参考文章2http://www.kiaic.com/article/detail/908.html