硬件工程师招聘应届毕业生一般会考察什么，有什么要求，综合分析
本轮硬件岗笔试题继续分析CVTE一道简答题，紫光展锐三道选择题，涉及二极管电路分析、三极管及MOS管道差异等。
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正文开始：
21.如图所示的电路，VI为理想的电压源，Vi为噪声电压源，RIN电源内阻，vD表示齐纳二极管两端电压，齐纳二极管V-I如图所示，特征曲线，RL为负载，VO和vo假设负载上的理想输出电压和噪声电压VI=10V，vi=50mV，RIN=1kΩ
1）分别计算RL=2kΩ和RL=4kΩ时的VO和VO，并列出VO和RL关系类型；
2)简要介绍齐纳二极管在电路中的作用
解析：
本课题考察了齐纳二极管（稳压管）的使用及相关的简单计算。首先，从第二个问题开始，齐纳二极管通常与负载两端并联。当负载电压超过齐纳二极管的反向击穿电压时，齐纳二极管击穿，然后进入反向击穿区。利用反向击穿区电流增加时电压基本不变的特点，将负载电压稳定在其击穿电压处。
结合原理图和齐纳二极管伏安特性曲线分析，RL电压增加到5V当齐纳二极管反向击穿时，负载电压稳定在5V。
让我们看看第一个问题。第一个问题只需要理想的输出电压，然后噪声电压可以直接变为0V分析(电路教科书中的叠加定理)。RL=2kohm首先从电路中去除齐纳二极管，并根据以下电阻分压公式计算VO：
VO = 10 x 2k/2k 1k = 6.67V
6.67V大于5V，因此，齐纳二极管反向击穿，负载电压稳定在5V, VO = 5V。
同样的原理，先计算出来RL=4kohm时间不齐纳二极管VO：
VO = 10 x 4k/4k 1k = 8V，8V > 5V,所以此时VO = 5V
根据上述计算和分析，我们可以知道这种关系类型实际上有两部分：当齐纳二极管没有反向击穿时，当齐纳二极管反向击穿时。建立关系需要找到临界条件，即VO = 5V。根据电阻分压定理，在RL = 1kohm时，VO = 5V，因此，关系如下：
VO = 10V x RL/(RL RIN), RL
VO = 5V, RL > 1kohm
以上就是CVTE分析了整套题目。接下来，我们将继续分析紫光展锐硬件笔试题。你会发现，CVTE笔试中的许多知识点将再次出现在紫光展锐的问题中，这表明这些反复出现的考点是求职者必须掌握的最基本的知识。
1.稳压管通常工作:(单选)
A正向导通状态
B反向导通状态
分析:这个问题的答案是B。具体原因已在上述简短答案中进行分析。同时，达尔闻之前分析的问题中也有稳压管的问题。对稳压管的使用仍有疑问的学生可以阅读以前的问题进行练习。
2. BJT在工作时，Vbe = 0.7V和Vbc < 0V,晶体管工作_状态(单选)
A．截止
B．放大
C．临界饱和
D．饱和
分析:因为没有说是什么类型的BJT，先用NPN来分析。BJT进入放大区有两个条件:发射结正偏，集电结反偏。NPN管，就是Vbe > 0.7V,Vbc < 0V。标题中的条件是Vbe = 0.7V,在临界状态下，选择C临界饱和。
再用PNP来分析。如果是的话PNP管，一般是Ve电压大于Vb电压，Vb电压大于Vc电压，即Vbe < 0, Vbc > 0,题目中的这种情况一般不会出现，又因为这是道单选题，所以不予考虑。
3.三极管与MOS对管道的描述是正确的(单选)
A三极管是电流控制型，MOS管道为电压控制型
B三极管是电压控制型，MOS管道为电流控制型
C三极管道为电压控制型，MOS管道为电压控制型
D三极管道为电流控制型，MOS管道为电流控制型
分析:这个问题的答案是A
熟悉的三极管和MOS管比较，已经在上一套题中进行了分析，这里再复习一遍。三极管的核心公式是 Ic = (beta)* Ib，其中beta指三极管本身的电流放大系数，这表明三极管的工作是通过控制基极电流Ib从而控制流过集电极的电流Ic，因此，三极管是电流控制型。
MOS管的导通控制主要依靠gs电压，以NMOS为例，当gs两端电压大于门槛电压，即Vgs>Vgs(th)时，ds开始形成导通沟。MOS的前提下，Vgs导通道越宽，导通电阻越小。MOS管道为电压控制型。答案选择A。
关于三极管和MOS管对比的题目在各个厂家的笔试中已经算是必考了，所以对于这两种器件的特性要有一个清晰的认识。